[发明专利]量子点制造方法、量子点及包含其的光学构件和电子装置

权利要求书

1.一种量子点制造方法，包括如下步骤：

制造包括包含镓的III-V族半导体化合物的第一粒子；以及

用包含铝前驱体的铝组合物处理所述第一粒子。

2.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，用包含铝前驱体的铝组合物处理所述第一粒子的步骤包括在所述第一粒子的表面上形成铝钝化层的步骤。

3.根据权利要求2所述的量子点制造方法，其中，

形成所述铝钝化层的步骤在120℃至230℃温度下执行10分钟至3小时。

4.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，

相对于100摩尔铝组合物，所述铝前驱体的含量为0.1摩尔至5摩尔。

5.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，

所述铝前驱体由下述化学式1表示：

化学式1

Al(R¹)₃

所述化学式1中，R¹为：

氚、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或者硝基；

被氚、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基或者其任意组合取代或未被取代的C₁-C₆₀烷氧基。

6.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，

所述铝组合物还包括溶剂。

7.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，

制造包括包含所述镓的III-V族半导体化合物的第一粒子的步骤包括从镓前驱体、III族前驱体以及V族前驱体形成包括包含所述镓的III-V族半导体化合物的步骤。

8.根据权利要求7所述的量子点制造方法，其中，

形成包括包含所述镓的III-V族半导体化合物的步骤在120℃至280℃温度范围下执行。

9.根据权利要求1所述的量子点制造方法，其中，

制造包括包含所述镓的III-V族半导体化合物的第一粒子的步骤包括如下步骤：

准备第二混合物，所述第二混合物包括包含所述镓的Ⅲ-V族半导体化合物、包含第一金属元素的第一前驱体、包含第二金属元素的第二前驱体、包含第三元素的第三前驱体以及包含第四元素的第四前驱体；以及

加热所述第二混合物；

其中，所述第一前驱体和所述第二前驱体彼此相异，

所述第三元素和所述第四元素彼此相异。

10.根据权利要求9所述的量子点制造方法，其中，

加热所述第二混合物的步骤在100℃至400℃下执行。

11.一种量子点，利用根据权利要求1所述的量子点的制造方法制造，包括：

包括包含镓的Ⅲ-V族半导体化合物的第一粒子；以及

围绕所述第一粒子的铝钝化层。

12.根据权利要求11所述的量子点，其中，

所述量子点的光致发光光谱的最大发光波长为500nm至540nm，

所述量子点的光致发光光谱的半峰全宽为30nm至60nm。

13.根据权利要求11所述的量子点，其中，

所述量子点具有核-壳结构，

所述核包括包含所述镓的Ⅲ-V族半导体化合物，

所述壳包括包含第三元素或者第四元素的第一区域以及包含第四元素的第二区域。