[发明专利]一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法在审

专利信息
申请号: 202211575169.0 申请日: 2022-12-08
公开(公告)号: CN115709318A 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 亓钧雷;张靖康;闫耀天;杨泰立;曹健;冯吉才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B23K1/00 分类号: B23K1/00;B23K103/18
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 导电 陶瓷 金属 热源 电阻 钎焊 方法
【权利要求书】:

1.一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于它是按以下步骤进行:

一、装配待焊件:

按照导电陶瓷、钎料箔片、金属母材的顺序依次叠放,得到导电陶瓷/钎料箔/金属结构;

二、单侧热源电阻钎焊:

将导电陶瓷两端分别接直流电源的正极与负极,然后将导电陶瓷/钎料箔/金属结构放入真空环境或气体保护氛围中,预设恒流源电流为1A~500A,然后将直流电通入导电陶瓷,以导电陶瓷作为钎焊热源,利用红外测温设备测得导电陶瓷表面温度为300℃~2000℃,在导电陶瓷表面温度为300℃~2000℃的条件下,保温0.01s~600s,最后直接关闭电源使焊接件冷却,或调整恒流源电流降至零安培,即完成钎焊。

2.根据权利要求1所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤一中分别使用砂纸打磨导电陶瓷和金属母材,然后超声清洗。

3.根据权利要求2所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤一中所述的导电陶瓷为C/C复合陶瓷、C/SiC复合陶瓷、C/C-SiC复合陶瓷、SiC陶瓷或Ti3SiC2陶瓷。

4.根据权利要求2所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤一中所述的金属母材为TC4合金板材、Nb板材、TiAl合金板材、GH4099合金板材或Ti2AlNb合金板材。

5.根据权利要求1所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤一中所述的钎料箔片为AgCuTi钎料、AgCuInTi钎料、TiZrNiCu钎料、TiCu钎料、AgCu钎料、SnAgCu钎料、BNi2钎料或BNi5钎料。

6.根据权利要求5所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤一中所述的钎料箔片的厚度为50微米~200微米。

7.根据权利要求1所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤二中所述的真空环境的真空度为10-1Pa~10-4Pa。

8.根据权利要求1所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤二中所述的气体保护氛围使用的气体为氩气、氢气、氮气和甲烷中的一种或其中几种的混合气体。

9.根据权利要求1所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤二中在电流降低速度为0.1A/s~500A/s的条件下,调整恒流源电流降至零安培。

10.根据权利要求1所述的一种用于导电陶瓷与金属的单侧热源电阻钎焊方法,其特征在于步骤二中将导电陶瓷/钎料箔/金属结构用夹具固定,使钎料箔片和导电陶瓷、金属母材紧密接触,然后放入真空环境或气体保护氛围中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211575169.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top