[发明专利]晶圆键合机台及晶圆键合方法在审
申请号: | 202211574712.5 | 申请日: | 2022-12-08 |
公开(公告)号: | CN115799118A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 王念 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆键合 机台 方法 | ||
1.一种晶圆键合机台,用于将上层晶圆与下层晶圆键合,其特征在于,所述晶圆键合机台包括:
上卡盘,用于吸附所述上层晶圆;
下卡盘,设置于所述上卡盘的下方,所述下卡盘具有用于吸附所述下层晶圆的吸附区域以及位于所述吸附区域外围的边缘区域;
至少三个光检测器,间隔地设置于所述下卡盘的边缘区域中;所述光检测器用于发射出射光并接收所述出射光反射回来的反射光,以根据所述出射光和所述反射光判断键合后的所述上层晶圆是否相对于所述下层晶圆发生滑片。
2.如权利要求1所述的晶圆键合机台,其特征在于,至少三个所述光检测器均匀地设置于所述下卡盘的边缘区域中。
3.如权利要求1所述的晶圆键合机台,其特征在于,所述光检测器包括测距仪或光强感应器。
4.如权利要求1所述的晶圆键合机台,其特征在于,所述光检测器与所述下层晶圆的边缘之间的水平距离为小于3mm。
5.如权利要求1所述的晶圆键合机台,其特征在于,所述晶圆键合机台还包括:
上承载台,用于承载所述上卡盘;
下承载台,用于承载所述下卡盘。
6.如权利要求1所述的晶圆键合机台,其特征在于,所述晶圆键合机台还包括:
顶针,用于穿过所述上卡盘后对所述上层晶圆施加压力,以将所述上层晶圆键合于所述下层晶圆上。
7.一种晶圆键合方法,其特征在于,包括:
提供上卡盘和下卡盘,所述下卡盘具有吸附区域以及位于所述吸附区域外围的边缘区域,所述上卡盘上吸附有上层晶圆,所述下卡盘的吸附区域吸附有下层晶圆,所述下卡盘的边缘区域中设置有至少三个光检测器;
将所述上层晶圆键合于所述下层晶圆上;
采用所述光检测器发射出射光并接收所述出射光反射回来的反射光,以检测所述上层晶圆是否相对于所述下层晶圆发生滑片。
8.如权利要求7所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述上卡盘固定于一上承载台上,所述下卡盘固定于一下承载台上;在将所述上层晶圆键合于所述下层晶圆上之前,所述晶圆键合方法还包括:
将所述上承载台和所述下承载台分别从各自的初始位置处移动到执行键合的设定位置处,以使得所述上卡盘与所述下卡盘相对设置。
9.如权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,在将所述上层晶圆键合于所述下层晶圆上之后,所述晶圆键合方法还包括:
将所述上承载台和所述下承载台从所述设定位置处分别移动回到各自的所述初始位置处,且在移动的过程中,采用所述光检测器检测所述上层晶圆是否相对于所述下层晶圆发生滑片。
10.如权利要求7所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述光检测器中存储有基准值;所述光检测器为测距仪,检测所述上层晶圆是否相对于所述下层晶圆发生滑片的步骤包括:
所述测距仪发射出射光并接收所述出射光反射回来的反射光,以测得所述测距仪与所述出射光被反射处之间的垂向距离;所述基准值为键合后未发生滑片时所述测距仪与所述上层晶圆之间的垂向距离,若至少一个所述测距仪测得的所述垂向距离小于或等于所述基准值,则所述上层晶圆相对于所述下层晶圆发生滑片;
或者,所述光检测器为光强感应器,检测所述上层晶圆是否相对于所述下层晶圆发生滑片的步骤包括:
所述光强感应器发射出射光并接收所述出射光反射回来的反射光,以测得所述出射光与所述反射光之间的光强差;所述基准值为键合后未发生滑片时所述出射光与所述出射光被所述上层晶圆反射得到的所述反射光之间的光强差,若至少一个所述光强感应器测得的所述光强差小于或等于所述基准值,则所述上层晶圆相对于所述下层晶圆发生滑片。
11.如权利要求7所述的晶圆键合方法,其特征在于,将所述上层晶圆键合于所述下层晶圆上的步骤包括:
采用顶针穿过所述上卡盘,并向所述上层晶圆施加向下的压力,以将所述上层晶圆键合于所述下层晶圆上。
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