[发明专利]一种陶瓷板和引线框架共晶方法

权利要求书

1.一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对引线框架做部分处理，做出符合引脚要求和贴片要求的引线框架图案，根据图案对引线框架进行加工；

步骤2，为保障引脚的稳定性和可靠性，对引脚做处理，给引脚留出足够的形变空间，并考虑热胀冷缩带来的余量空间，避免因膨胀或缩小带来的应力导致结构失效；或在大电流引脚上加工孔，便于大电流接触；

步骤3，选择合适的陶瓷板作为中间材料，合适的陶瓷板提高结构强度，并且能够抑制金属-陶瓷-金属复合体的膨胀，使DBM具有近似陶瓷的热膨胀系数；

步骤4，在承载治具上放置金属板与陶瓷板；将选定的陶瓷板放置于金属板上，再将冲压定型后的引线框架放置于陶瓷板上方指定位置，并且用专用治具固定位置，且给该复合结构适当的正压力；

步骤5，将固定好的复合结构送至高温炉中发生共晶反应，得到底层是金属，中间层是陶瓷，最上层是引线框架；

步骤6，根据实际需要将DBM中的引线框架蚀刻出需要的电路，若如果引线框架已经预先制作好了全部线路，则可以省去步骤6。

2.如权利要求1所述的一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，所述引线框架的引脚出脚方式包括单侧出脚、2侧出脚、3侧出脚、4侧出脚、多侧出脚、任意侧出脚。

3.如权利要求1所述的一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，所述陶瓷板形状、引线框架形状、金属板形状包括规则多边形、不规则多边形、圆形、椭圆、不规则曲边形状。

4.如权利要求1所述的一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，所述引线框架材质为任意金属或合金；引线框架结构为平面框架，或非平面框架。

5.如权利要求1所述的一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，所述引线框架厚度为0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm、0.6mm，或0.01～5mm。

6.如权利要求1所述的一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，所述陶瓷板包括氧化铝、氮化铝、氮化硅、高强度氮化铝、氧化锆。

7.如权利要求1所述的一种陶瓷板和引线框架共晶方法，其特征在于，所述粘合方法采用高温下共晶的方法，若用铜板和铜引线框架，那么就是在1065～1083℃的条件下Cu与氧化铝或氮化铝间的共晶反应。