[发明专利]显示装置及电子设备

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

像素部，包括：

晶体管；以及

像素电极，其电连接到所述晶体管，

其中，所述晶体管包括被用作沟道的金属氧化物膜，

所述金属氧化物膜包括In、Zn及元素M，

所述金属氧化物膜不具有包括原子个数比不同的二种以上的膜的叠层结构，

所述金属氧化物膜包括第一区域和第二区域，

所述第一区域包括In或者Zn、以及氧，

所述第二区域包括In或者所述元素M、以及氧，

并且，所述第一区域和所述第二区域以马赛克状分散或者分布的方式混合。

2.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，绝缘膜位于所述晶体管上，

所述金属氧化物膜位于栅极绝缘膜上，

并且，所述像素电极在所述绝缘膜的开口中与所述晶体管电连接。

3.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述晶体管包括栅电极和栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜位于所述栅电极和所述金属氧化物膜之间，

并且，所述金属氧化物膜和所述像素电极位于所述栅极绝缘膜上。

4.一种显示装置，包括：

像素部，包括：

晶体管；以及

像素电极，其电连接到所述晶体管，

其中，所述晶体管包括被用作沟道的金属氧化物膜，

所述金属氧化物膜包括In、Zn及元素M，

所述金属氧化物膜不具有包括原子个数比不同的二种以上的膜的叠层结构，

所述金属氧化物膜包括第一区域和第二区域，

所述第一区域包括In或者Zn、以及氧，

所述第二区域包括In或者所述元素M、以及氧，

所述第一区域和所述第二区域以马赛克状分散或者分布的方式混合，

绝缘膜位于所述晶体管上，

所述金属氧化物膜位于栅极绝缘膜上，

所述像素电极在所述绝缘膜的开口中与所述晶体管电连接，

所述晶体管包括栅电极和栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜位于所述栅电极和所述金属氧化物膜之间，

并且，所述金属氧化物膜和所述像素电极位于所述栅极绝缘膜上。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示装置，

其中，所述金属氧化物膜包括In、M及Zn原子的总和中In的含量为40%以上且50%以下的区域以及In、M及Zn原子的总和中M的含量为5%以上且30%以下的区域，

并且，所述元素M为镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一个或多个。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的显示装置，

其中，所述第一区域的每一个的尺寸为0.5nm以上且3nm以下，

并且，所述第二区域的每一个的尺寸为0.5nm以上且3nm以下。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的显示装置，

其中，所述金属氧化物膜包括具有c轴排列的晶体。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的显示装置，还包括在所述晶体管下方的柔性衬底。

9.一种显示装置，包括：

像素部，包括：

晶体管；以及

像素电极，其电连接到所述晶体管，

其中，所述晶体管包括被用作沟道的第一金属氧化物膜和位于所述第一金属氧化物膜上的第二金属氧化物膜，

所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜的每一个包括In、Zn及元素M，

所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜的每一个不具有包括原子个数比不同的二种以上的膜的叠层结构，

所述第一金属氧化物膜和所述第二金属氧化物膜的每一个包括第一区域和第二区域，

所述第一区域包括In或者Zn、以及氧，

所述第二区域包括In或者所述元素M、以及氧，

并且，所述第一区域和所述第二区域以马赛克状分散或者分布的方式混合。