[发明专利]驱动背板及显示面板

权利要求书

1.一种驱动背板，其特征在于，包括：

衬底；

金属氧化物薄膜晶体管，设置在所述衬底的一侧，所述金属氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体部；以及

阻氢部，设置在所述衬底上，所述阻氢部包括第一阻氢部和第二阻氢部；其中，所述第一阻氢部设置在所述氧化物半导体部靠近所述衬底的一侧，且所述氧化物半导体部在所述衬底上的正投影和所述第一阻氢部在所述衬底上的正投影至少部分重叠；所述第二阻氢部设置在所述氧化物半导体部的外侧，在垂直于所述衬底的平面上，所述氧化物半导体部的正投影和所述第二阻氢部的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括设置在所述衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括依次设置的低温多晶硅半导体部、第一栅极绝缘层、第一栅极以及第一源漏极，所述低温多晶硅半导体部、所述第一栅极绝缘层以及所述第一栅极均位于所述氧化物半导体部靠近所述衬底的一侧，所述第一源漏极连接于所述低温多晶硅半导体部；所述第一栅极复用为所述第一阻氢部。

3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述氧化物半导体部在所述衬底上的正投影位于所述第一阻氢部在所述衬底上的正投影内。

4.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括绝缘叠层，所述绝缘叠层设置在所述第一阻氢部远离所述衬底的一侧，所述氧化物半导体部位于所述绝缘叠层中；

其中，所述绝缘叠层中开设有连接孔，所述连接孔裸露出所述第一阻氢部，所述第二阻氢部设置在所述绝缘叠层的表面且填充于所述连接孔，所述第二阻氢部与所述第一阻氢部连接。

5.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极设置在所述氧化物半导体部远离所述衬底的一侧，并位于所述绝缘叠层远离所述衬底的表面；所述第二阻氢部位于所述绝缘叠层的表面的部分与所述第二栅极同层且绝缘间隔。

6.根据权利要求5所述的驱动背板，其特征在于，所述绝缘叠层包括第一层间绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一阻氢部和所述氧化物半导体部之间，所述第二栅极绝缘层位于所述氧化物半导体部和所述第二栅极之间；

所述连接孔依次贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第一层间绝缘层，所述第二阻氢部设置在所述第二栅极绝缘层的表面且填充于所述连接孔，所述第二阻氢部位于所述第二栅极绝缘层的表面的部分与所述第二栅极同层且绝缘间隔。

7.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括第二源漏极，所述第二源漏极设置在所述绝缘叠层远离所述衬底的表面，并连接于所述氧化物半导体部；所述第二阻氢部位于所述绝缘叠层的表面的部分与所述第二源漏极同层且绝缘间隔。

8.根据权利要求7所述的驱动背板，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极位于所述氧化物半导体部远离所述衬底的一侧；所述绝缘叠层包括依次设置在所述衬底上的第一层间绝缘层、第二栅极绝缘层以及第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第一阻氢部和所述氧化物半导体部之间，所述第二栅极绝缘层位于所述氧化物半导体部和所述第二栅极之间，所述第二层间绝缘层位于所述第二栅极和所述第一源漏极之间；

所述连接孔依次贯穿第二层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一层间绝缘层，所述第二阻氢部设置在所述第二层间绝缘层的表面且填充于所述连接孔，所述第二阻氢部位于所述第二层间绝缘层的表面的部分与所述第二源漏极同层且绝缘间隔。

9.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极设置在所述氧化物半导体部远离所述衬底的一侧，所述第二阻氢部和所述第二栅极同层且绝缘设置。