[发明专利]一种自解耦电磁式多维力传感器

权利要求书

1.一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，包括有底座(8)，所述底座(8)上设有至少三个支撑座，每个支撑座以底座中心为圆心等旋转角度分布，每个所述支撑座上分别设置有一个FPC柔性电路板，每个所述FPC柔性电路板上焊接有三个霍尔效应传感器(7)，三个所述霍尔效应传感器(7)分别处于对应所述支撑座的上端面、左侧面和右侧面外，每个所述支撑座上设有第一层加板(6)，每个所述第一层加板的上端面、左侧面和右侧面上均设有通孔，并固定设置有PDMS弹性薄膜(5)，每个所述PDMS弹性薄膜(5)均抵接有触头(2)，每个所述触头(2)中均嵌有磁铁(4)，每个所述第一层加板(6)外均设有第二层加板(3)，每个所述第二层加板(3)的上端面、左侧面和右侧面上分别设有通孔，所述第二层加板外设有上板(1)。

2.根据权利要求1所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，所述的第一层加板(6)的上端面、左侧面和右侧面上设有通孔，所述的通孔位置与所述霍尔效应传感器(7)相对应。

3.根据权利要求1所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，所述的第一层加板(6)和第二层加板(3)的上端面、左侧面和右侧面的通孔均与所述触头(2)和磁铁(4)的位置相对应。

4.根据权利要求3所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，所述触头(2)的尺寸与对应第二层加板(3)的通孔尺寸相同。

5.根据权利要求1所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，每个所述触头(2)远离PDMS弹性薄膜方向的端头穿过对应第二层加板(3)的通孔与上板(1)接触。

6.根据权利要求1所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，所述的上板与底座之间设有弹性硅胶(9)。

7.根据权利要求1所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，其特征在于，所述的FPC柔性电路板与外界处理器相连接。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的一种自解耦电磁式多维力传感器，通过将施加在上板上的力分解为竖直方向的法向力和水平方向的切向力，利用各个位置的霍尔效应传感器的霍尔电压变化不同可检测得到上力的位置、大小、方向。