[发明专利]微型发光芯片阵列结构及其制备方法、掩膜版

说明书

本发明实施例公开了一种微型发光芯片阵列结构及其制备方法、掩膜版，其中微型发光芯片阵列结构制备方法包括如下步骤：提供基片，基片包括多个微型发光芯片；于基片的表面设置保护层；对基片进行刻蚀得到至少一条切割道，至少一条切割道将多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列；沿切割道切割基片，得到多个微型发光芯片阵列结构。本发明实施例能够提高微型发光芯片阵列结构的性能和良率。

技术领域

本发明涉及芯片加工技术领域，尤其涉及一种微型发光芯片阵列结构制备方法、微型发光芯片阵列结构及掩膜版。

背景技术

微型发光芯片阵列结构的制备过程，通常是在晶圆上排布多个阵列设置的微型发光芯片单元，再通过切割设备将晶圆切割为多个独立的微型发光芯片单元。相关技术中，微型发光芯片阵列结构的良率不高。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够改善良率的微型发光芯片阵列结构制备方法、芯片及掩膜版。

一种微型发光芯片阵列结构制备方法，包括：

提供基片，所述基片包括多个微型发光芯片；

于所述基片的表面设置保护层；

对所述基片进行刻蚀得到至少一条切割道，所述至少一条切割道将所述多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列；

沿所述切割道切割所述基片，得到多个微型发光芯片阵列结构。

在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，所述对所述基片进行刻蚀得到至少一条切割道，所述至少一条切割道将所述多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列，包括：

在所述基片的表面制备具有纵横交错的凹槽的掩膜；

使用刻蚀基质腐蚀所述基片，以形成所述切割道。

在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，所述在所述基片的表面制备具有纵横交错的凹槽的掩膜，包括：

于所述基片的表面涂布光刻胶；

提供掩膜版，利用光束透过所述掩膜版照射所述光刻胶，以使得所述光刻胶转化为耐刻蚀部分与不耐刻蚀部分；

去除所述不耐刻蚀部分，得到所述掩膜。

在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，在所述于所述基片的表面设置保护层之前，还包括将用于引出电极的金属电极层设置于所述微型发光芯片上；

所述对所述基片进行刻蚀得到至少一条切割道，还包括形成多个孔道，所述孔道延伸至所述金属电极层。

在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，在所述沿所述切割道切割所述基片，得到多个微型发光芯片阵列结构之前，还包括：

于所述孔道内沉积金属基质，以连接所述金属电极层。

在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，所述保护层包括氧化硅、氮化硅或氧化铝中的至少之一。

在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，所述沿所述切割道切割所述基片的方法为激光切割。

一种微型发光芯片阵列结构，使用根据上述任意实施例所述的微型发光芯片阵列结构制备方法制备得到。

一种掩膜版，包括至少一个切割轨道，所述切割轨道的透光度大于或小于相邻区域的透光度。

在所述掩膜版的一些实施例中，所述掩膜版上还设有多个孔位。

实施本发明实施例，将具有如下有益效果：