[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法

说明书

本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法，具体包括：选用正背面已沉积透明导电薄膜层的太阳能电池片；在PVD或RDP载板夹具上放置mask图形模板，其中mask图形模板上切割或者刻蚀有若干闭合实线区域，通过PVD或RPD等方法在沉积透明导电薄膜层后的N型晶硅衬底的背面依次沉积高导电层和抗氧化保护层栅线，高导电层采用铜金属；所述抗氧化保护层为锡、银、铝、钛、铬、镍等金属及其合金或导电的氧化物和氮化物；在背面已沉积抗氧化保护层的N型晶硅衬底的背面再沉积第二层透明导电薄膜层，本发明通过增加第二层透明导电薄膜层，增加了高导电层与第二层透明导电薄膜层之间的接触面积，从而增加了结合力，避免脱栅的情况发生。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种异质结太阳能电池的制备方法。

背景技术

HJT电池作为现今最受关注的太阳电池技术之一，其光电转换效率记录已高达26.63％。同时，其具有结构简单，工艺温度低，转换效率高，温度系数好等优点备受行业厂商青睐。众所周知，太阳电池是将光能转换成电能，并利用金属电极收集电流导向外接电路。在HJT电池中，常用金属Ag栅线作为电极与TCO薄膜直接连接，为保障电池效率，在HJT背面需印刷密集的Ag栅线，这虽有利于电流的导出，但也导致Ag浆料用量激增、成品电池价格较高的问题。加之HJT电池所用Ag浆料为低温Ag浆，其成本远高于传统高温Ag浆，这进一步增加了HJT电池生产成本，从而极大地制约了HJT电池技术的大规模应用；众所周知，金属Cu的导电性能略差于金属Ag，而优于Ag浆；同时，cu的成本远低于Ag及Ag浆，是以如何使金属Cu替代Ag作为电池栅线已成为光伏行业现今研究的热点。在HJT电池中，TCO薄膜与金属栅线直接接触，而金属Cu与TCO薄膜的热膨胀系数差距较大，导致二者结合性能较差，HJT电池的长期可靠性存在较大风险；另外，金属Cu在高温、潮湿的条件下容易氧化，这也给金属Cu的应用增添一分难度。

发明内容

本发明的目的是针对背景技术中存在的缺点和问题加以改进和创新，提供一种异质结太阳能电池的制备方法。

实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种异质结太阳能电池的制备方法，具体包括：

在N型晶硅衬底正面制绒，形成金字塔绒面；

在制绒后的N型晶硅衬底的正、背面沉积非晶硅层；

在沉积非晶硅层后的N型晶硅衬底的正、背面沉积第一层透明导电薄膜层，其中第一层透明导电薄膜层为ITO层或者掺杂其它元素的氧化铟层；

在PVD或RDP载板夹具上放置mask图形模板，其中mask图形模板上切割或者刻蚀有若干闭合实线区域，闭合实线区域呈长方形或者等腰梯形；

将N型晶硅衬底的正面朝上放于装有所述mask图形模板的载板夹具上，通过PVD或RPD方法在沉积第一层透明导电薄膜层后的N型晶硅衬底的背面依次沉积高导电层和抗氧化保护层栅线，其中高导电层采用金属Cu；所述抗氧化保护层为锡、银、铝、钛、铬、镍金属或上述金属的合金或上述金属的导电的氧化物或氮化物；

用PVD或RPD方法在背面已沉积抗氧化保护层的N型晶硅衬底的背面再沉积第二层透明导电薄膜层；

采用上述mask图形模板遮挡住N型晶硅衬底的背面，采用干法刻蚀去除抗氧化保护层上的第二层透明导电薄膜层；

在N型晶硅衬底正背面印刷银浆电极栅线。