[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 202211551304.8 | 申请日: | 2022-12-05 |
公开(公告)号: | CN115719749A | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 马彬彬;张伟;李杰;齐智坚;王凌飞;许桐伟;陈昱伶;朱大勇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;G09F9/33 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 李红标 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板与发光单元,所述衬底基板具有显示区,所述发光单元设置于所述显示区;
所述衬底基板上设有用于控制所述发光单元的TFT,所述TFT包括有源层、栅极以及和所述有源层电连接的源极与漏极,所述有源层远离所述衬底基板的一侧分布有粗糙结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述粗糙结构包括凸起与凹槽中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述粗糙结构包括凹槽,所述凹槽的深度为5-25nm;和/或
所述粗糙结构包括凸起,所述凸起的高度为5-25nm。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层包括:
第一导体区、第二导体区与半导体区,所述源极与所述第一导体区连接,所述漏极与所述第二导体区连接,所述栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体区在所述衬底基板上的正投影,所述粗糙结构设置于所述半导体区。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一导体区远离所述衬底基板一侧的表面粗糙度小于所述半导体区远离所述衬底基板一侧的表面粗糙度;和/或
所述第二导体区远离所述衬底基板一侧的表面粗糙度小于所述半导体区远离所述衬底基板一侧的表面粗糙度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板包括:
第一衬底与第一隔离层,所述第一隔离层设置于所述第一衬底与所述有源层之间;
所述第一隔离层靠近所述有源层的一侧具有第一粗糙区域,所述有源层的至少部分设置于所述第一粗糙区域。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一衬底靠近所述第一隔离层的一侧具有第二粗糙区域,所述第一隔离层的至少部分设置于所述第二粗糙区域。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板包括:
层叠设置的第二衬底与第二隔离层,所述第二隔离层设置于所述第一衬底与所述第二衬底之间。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层具有第一区域与第二区域,所述第二区域围绕所述第一区域设置,所述第一区域分布有所述粗糙结构;和/或
所述TFT的数量为多个,至少两个所述TFT中有源层上分布的粗糙结构不同。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光单元包括第一发光单元与第二发光单元,所述第一发光单元被配置为可发出第一光,所述第二发光单元被配置为可发出第二光,所述第一光与所述第二光的波长不同;
所述TFT包括第一TFT与第二TFT,所述第一TFT用于控制所述第一发光单元,所述第二TFT用于控制所述第二发光单元;
其中,所述第一TFT中有源层上粗糙结构所在区域的粗糙度小于所述第二TFT中有源层上粗糙结构所在区域的粗糙度。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述粗糙度包括粗糙结构的分布密度,所述第一TFT中有源层上粗糙结构的分布密度小于所述第二TFT中有源层上粗糙结构的分布密度。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一TFT与所述第二TFT中有源层上的粗糙结构均包括凹槽,所述粗糙度包括凹槽的深度,所述第一TFT中有源层上的凹槽的深度小于所述第二TFT中有源层上的凹槽的深度。
13.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述第一TFT与所述第二TFT中有源层上的粗糙结构均包括凸起,所述粗糙度包括凸起的高度,所述第一TFT中有源层上的凸起的高度小于所述第二TFT中有源层上的凸起的高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211551304.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的