[发明专利]一种基于分布式结构的功率放大器及芯片

权利要求书

1.一种基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，包括：

宽带输入匹配网络，所述宽带输入匹配网络前端连接射频输入端口；

分布式功率匹配网络，包括多个串联的功率匹配传输线；所述分布式功率匹配网络的前端连接所述宽带输入匹配网络；

一个主功放和多个辅功放，所述主功放和所述辅功放的数量之和等于所述功率匹配传输线的数量，所述主功放和所述辅功放的输入端逐一连接在各功率匹配传输线的前端；

分布式功率合成网络，包括多个串联的功率合成传输线；所述功率合成传输线的数量等于所述辅功放的数量；所述分布式功率合成网络的输入端连接所述主功放的输出端，各功率合成传输线的后端逐一连接所述辅功放的输出端；

宽带输出匹配网络，所述宽带输出匹配网络的前端连接在所述分布式功率合成网络的输出端，所述宽带输出匹配网络的后端连接射频输出端口；

其中，所述主功放偏置在AB类，所述辅功放偏置在C类；通过选择设置各功率匹配传输线和各功率合成传输线的特定阻抗和电长度，将所述功率放大器最佳负载阻抗匹配至所述主功放和所述辅功放的最佳负载阻抗，并保证所述主功放和各辅功放相位同步。

2.根据权利要求1所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述宽带输入匹配网络、所述分布式功率匹配网络、所述主功放、所述辅功放、所述分布式功率合成网络和所述宽带输出匹配网络采用半导体集成电路工艺制备。

3.根据权利要求2所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述宽带输入匹配网络、所述分布式功率匹配网络、所述主功放、所述辅功放、所述分布式功率合成网络和所述宽带输出匹配网络采用基于GaAs的pHEMT工艺制备。

4.根据权利要求1所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述宽带输入匹配网络和所述宽带输出匹配网络为阻抗匹配网络，所述宽带输入匹配网络用于将输入阻抗匹配至标准50欧姆端口阻抗，所述宽带输出匹配网络用于将标准50欧姆端口阻抗匹配至负载阻抗。

5.根据权利要求1所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述功

率匹配传输线和所述功率合成传输线采用集总参数网络等效实现，所述功率匹配传输线和所述功率合成传输线为四分之一波长线。

6.根据权利要求1所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述功率匹配传输线和所述功率合成传输线采用低通π型集总元件结构或低通T型集总元件结构等效实现。

7.根据权利要求6所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述宽带输入匹配网络为基于LC的低通网络。

8.根据权利要求7所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述宽带输出匹配网络为基于LC的带通网络，所述宽带输出匹配网络还设有偏置电路。

9.根据权利要求8所述的基于分布式结构的功率放大器，其特征在于，所述分布式功率匹配网络和所述分布式功率合成网络为基于LC的低通π型网络。

10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1至9中任意一项所述基于分布式结构的功率放大器。