[发明专利]像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示面板在审

专利信息
申请号: 202211535872.9 申请日: 2022-12-01
公开(公告)号: CN115798429A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 刘鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 高梦梦
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 及其 驱动 方法 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

像素电极;

第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极相连,以共用栅极驱动信号,所述第二晶体管的源极与所述第二晶体管的源极相连,以共用数据扫描信号,所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连后连接到所述像素电极,其中,在同一像素帧,所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个开通,以给所述像素电极充电。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个是NTFT,所述第一晶体管和所述第二晶体管中的另一个是PTFT。

3.根据权利要求1或2所述的像素电路,其特征在于,在不同像素帧时,所述栅极驱动信号不同,且所述数据扫描信号的电压极性相反。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述像素帧包括正像素帧和负像素帧,其中,

在所述正像素帧时,所述栅极驱动信号为负电平,以使所述第一晶体管和所述第二晶体管中的PTFT开通、NTFT关断,所述数据扫描信号提供正电压给所述像素电极充电;

在所述负像素帧时,所述栅极驱动信号为正电平,以使所述第一晶体管和所述第二晶体管中的PTFT关断、NTFT开通,所述数据扫描信号提供负电压给所述像素电极充电。

5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,还包括极性转换器,所述极性转换器设置在数据扫描线与所述第一晶体管和第二晶体管的源极之间,被配置为改变所述数据扫描信号的电压极性。

6.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,还包括反相器,被配置为在所述正像素帧时将相应GOA电路输出的正电平的栅极驱动信号变换为负电平的栅极驱动信号。

7.一种阵列基板,其特征在于,包括:

根据权利要求1-6中任一项所述的像素电路;

衬底;

形成在所述衬底上的缓冲层,所述缓冲层中对应所述第一晶体管和所述第二晶体管分别设置有第一遮光部和第二遮光部;

形成在所述缓冲层上的栅绝缘层;

形成在所述栅绝缘层上的层间介质层,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极位于所述层间介质层;

形成在所述层间介质层上的平坦层,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管的源极和漏极将所述栅绝缘层、所述层间介质层和所述平坦层进行连接;

形成在所述平坦层上的电极层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述栅绝缘层中的Pgate图形和Ngate图形镜像布置。

9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述栅绝缘层中的Pgate图形和Ngate图形采用离子注入的方式形成。

10.一种显示面板,其特征在于,包括根据权利要求1-6中任一项所述的像素电路。

11.一种显示面板,其特征在于,包括根据权利要求7-9中任一项所述的阵列基板。

12.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括像素电极、第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极相连,以共用栅极驱动信号,所述第二晶体管的源极与所述第二晶体管的源极相连,以共用数据扫描信号,所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连后连接到所述像素电极,所述驱动方法包括:

响应于所述栅极驱动信号和所述数据扫描信号,在同一像素帧,驱动所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个开通,以给所述像素电极充电。

13.根据权利要求12所述的驱动方法,其特征在于,在不同像素帧时,所述栅极驱动信号不同,且所述数据扫描信号的电压极性相反。

14.根据权利要求13所述的驱动方法,其特征在于,所述像素帧包括正像素帧和负像素帧,其中,

在所述正像素帧时,所述栅极驱动信号为负电平,以使所述第一晶体管和所述第二晶体管中的PTFT开通、NTFT关断,所述数据扫描信号提供正电压给所述像素电极充电;

在所述负像素帧时,所述栅极驱动信号为正电平,以使所述第一晶体管和所述第二晶体管中的PTFT关断、NTFT开通,所述数据扫描信号提供负电压给所述像素电极充电。

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