[发明专利]谷胱甘肽修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用

权利要求书

1.谷胱甘肽修饰的CdTe量子点，其特征在于，所述谷胱甘肽修饰的CdTe量子点由含碲的化合物、NaBH₄、镉化合物和谷胱甘肽通过回流法得到。

2.一种权利要求1所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)NaHTe前驱体制备：将含碲的化合物与NaBH₄混合，加入除氧的水至黑色粉末消失，底部有白色沉淀，过滤，得到淡紫红色透明NaHTe溶液，即为NaHTe前驱体溶液；

(2)Cd前驱体的制备：向除氧的水中加入镉化合物和谷胱甘肽，溶解，同时在溶解的过程中通入N₂，得到Cd前驱体溶液；

(3)GSH-CdTe量子点的制备：向所述Cd前驱体溶液中加入所述NaHTe前驱体溶液，混合，调节pH至9.0-11.0，在90-95℃回流1-4h得到谷胱甘肽修饰的CdTe量子点，即GSH-CdTe量子点；

所述Cd前驱体溶液中的镉化合物与所述NaHTe前驱体溶液中含碲的化合物的摩尔比为0.15-0.2:1。

3.根据权利要求2所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的制备方法，其特征在于，步骤(1)中含碲的化合物与NaBH₄的摩尔比为1:8-8.3。

4.根据权利要求2所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的制备方法，其特征在于，步骤(1)中含碲的化合物与NaBH₄的总质量与除氧水的体积为1g:17-24mL。

5.根据权利要求2所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中镉化合物与谷胱甘肽的摩尔比为1:1-1.3。

6.根据权利要求2所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中镉化合物和谷胱甘肽质量之和与除氧的水的体积比为1g：190-200mL。

7.一种权利要求1所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的应用，其特征在于，所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点用于检测Ag⁺、Cu²⁺、Hg²⁺，Ag⁺的检测限为0.492μM。

8.一种权利要求1所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的应用，其特征在于，所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点用于检测DL-高半胱氨酸，DL-高半胱氨酸的检测限为0.684μM。

9.根据权利要求8所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的应用，其特征在于，用Ag⁺修饰所述谷胱甘肽修饰的CdTe量子点后检测DL-高半胱氨酸。

10.根据权利要求9所述的谷胱甘肽修饰的CdTe量子点的应用，其特征在于，所述谷胱甘肽修饰的CdTe量子点与所述Ag⁺的质量浓度比为10：1-20，DL-高半胱氨酸的检测浓度为2.0-14.0×10^-5M。