[发明专利]一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法和系统在审

专利信息
申请号: 202211529939.8 申请日: 2022-11-30
公开(公告)号: CN115762617A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 蒋洪湖;曾祥卫;皂慧丽;刘石柱;赵春辉 申请(专利权)人: 深圳市章江科技有限公司
主分类号: G11C29/08 分类号: G11C29/08;G11C29/50;G11C29/56;G06N3/04;G06N3/08
代理公司: 深圳市中科云策知识产权代理有限公司 44862 代理人: 何晓
地址: 518000 广东省深圳市福田区沙头街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 神经网络 模型 dram 储存器 性能 预测 方法 系统
【说明书】:

本说明书实施例提供一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法和系统,其中,所述方法包括:设定测试参数;根据测试参数对DRAM储存器的至少一部分进行测试,获取测试数据;对测试数据进行预处理,获取处理后的数据;基于处理后的数据,通过神经网络模型预测DRAM储存器的至少一部分的性能,得到性能数据,具有可以对DRAM储存器的性能进行预测,可以有效预防DRAM储存器发生失效或故障的优点。

技术领域

本说明书涉及DRAM储存器领域,特别涉及一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法和系统。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory)是目前应用最广泛的存储介质之一,广泛应用于各类存储设备。DRAM断电停机就会丢失全部数据,大部分DRAM内存一旦投入使用就会一直处于运行状态。由于不便停机检测,一旦内部发生失效或故障就会丢失数据,对用户造成难以估量的影响,因此DRAM的出厂质量检测试验和使用后的性能预测变得非常重要。现有技术一般通过故障时信号灯提醒、电压监测等方法,得到DRAM储存器中失效或者故障单元之后,将这些单元进行隔离修复防止持续失效,但此时已经给用户造成了数据损失。

因此,需要提供一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法和系统,用于对DRAM储存器的性能进行预测,可以有效预防DRAM储存器发生失效或故障。

发明内容

本说明书实施例之一提供一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法,所述方法包括:设定测试参数;根据所述测试参数对所述DRAM储存器的至少一部分进行测试,获取测试数据;对所述测试参数及所述测试数据进行预处理,获取处理后的数据;基于处理后的数据,通过神经网络模型预测所述DRAM储存器的至少一部分的性能,得到性能数据。

在一些实施例中,所述DRAM储存器的厂家、所述DRAM储存器的工艺、所述DRAM储存器的型号、所述DRAM储存器的规格、测试算法、时序参数、运行工况及插拔次数。

在一些实施例中,所述对所述测试参数及所述测试数据进行预处理,获取处理后的数据,包括:对所述测试参数及所述测试数据进行归一化处理,获取所述处理后的数据。

在一些实施例中,所述对所述测试参数及所述测试数据进行归一化处理,获取所述处理后的数据,包括:基于min-max标准化方法或Z-score标准化方法对测试参数及测试数据进行归一化处理,获取所述处理后的数据。

在一些实施例中,所述DRAM储存器的至少一部分包括所述DRAM储存器的元格、所述DRAM储存器的模组或所述DRAM储存器。

在一些实施例中,所述方法还包括:在进行所述测试的过程中,对所述测试参数及所述测试数据进行可视化展示。

在一些实施例中,所述方法还包括:对所述神经网络模型预测的所述DRAM储存器的至少一部分的性能数据进行可视化展示。

在一些实施例中,所述性能数据至少包括综合性能退化曲线。

在一些实施例中,所述方法还包括:根据所述性能数据,对所述DRAM储存器进行分类。

在一些实施例中,所述方法还包括:根据所述综合性能退化曲线及阈值,确定所述DRAM储存器的使用寿命。

本说明书实施例之一提供一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测系统,所述系统包括:信息输入模块,用于设定测试参数;信息采集模块,用于根据所述测试参数对所述DRAM储存器的至少一部分进行测试,获取测试数据;数据处理模块,用于对所述测试参数及所述测试数据进行预处理,获取处理后的数据;建模分析模块,用于基于处理后的数据,通过神经网络模型预测所述DRAM储存器的至少一部分的性能,得到性能数据。

在一些实施例中,所述系统还包括第一可视化展示模块,用于在进行所述测试的过程中,对所述测试参数及所述测试数据进行可视化展示。

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