[发明专利]增强低粗糙度铜箔与树脂界面结合的等离子表面处理方法

权利要求书

1.一种增强低粗糙度铜箔与树脂界面结合的等离子表面处理方法，其特征在于，所述等离子表面处理方法包括如下步骤：

S1、电沉积粗化处理

对铜箔进行清洗，后进行电沉积处理，粗化表面，在粗化表面喷涂硅烷偶联剂，烘干成膜，得粗化铜箔；

S2、大气等离子表面改性

对树脂半固化片进行等离子表面处理，得表面处理后的树脂半固化片；

S3、热压成型

将粗化铜箔和树脂半固化片进行热压处理，即得PCB基板。

2.根据权利要求1所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S1中所述清洗具体为：依次对光面铜箔进行酸洗、乙醇清洗和去离子水清洗。

3.根据权利要求1所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S1中所述电沉积处理参数为：电流密度为25-65A/dm²，施镀时间为30s-5min。

4.根据权利要求1所述的等离子表面处理方法，其特征在于，电沉积处理的基础镀液包括0.5M的CuSO₄和1M的H₂SO₄。

5.根据权利要求4所述的等离子表面处理方法，其特征在于，基础镀液还包括镀铜添加剂；镀铜添加剂为阴离子表面活性剂，包括十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种。

6.根据权利要求1所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S1中所述硅烷偶联剂包括KH550。

7.根据权利要求1所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S2中等离子表面处理的设置放电功率为800-1200W，处理时间为4-6min。

8.根据权利要求1所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S2中树脂半固化片包括环氧树脂半固化片、聚苯醚半固化片中的一种。

9.根据权利要求8所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S3中，树脂半固化片为环氧树脂半固化片时，热压参数为135-145℃预压12-18min，再165-115℃压制40-50min。

10.根据权利要求8所述的等离子表面处理方法，其特征在于，步骤S3中，树脂半固化片为聚苯醚树脂半固化片时，热压参数为165-115℃预压12-18min，再190-210℃压制40-50min。