[发明专利]一种用于Micro-LED的色转换层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于Micro-LED的色转换层，其特征在于，所述色转换层包括：

基底；所述基底是透明的；

光阻隔墙，所述光阻隔墙是由掺杂反射材料的热固化压印胶经过纳米压印工艺制成的；所述光阻隔墙间隔固化在所述基底上形成微阵列结构；所述微阵列结构中相邻两个所述光阻隔墙与所述基底之间形成开口向上的沟槽；

量子点材料，所述量子点材料填充至所述微阵列结构中指定的沟槽内；

经过所述沟槽内的可见光和所述沟槽内量子点材料激发后产生的可见光分别能够通过所述光阻隔墙反射后从所述沟槽的开口方向发射出去。

2.根据权利要求1所述的色转换层，其特征在于，

所述光阻隔墙有若干个，若干个所述光阻隔墙按照预设距离等间距固定在所述基底上形成微阵列结构。

3.根据权利要求1所述的色转换层，其特征在于，

所述微阵列结构中相邻的三个所述沟槽形成一个发光单元；所述发光单元包括用于填充第一量子点材料的第一沟槽、用于填充第二量子点材料的第二沟槽，以及用于作为Micro-LED光线通道的第三沟槽；

进一步，所述第一量子点材料为红色量子点材料，所述第二量子点材料为绿色量子点材料；所述第一量子点材料和所述第二量子点材料均选自II-VI族量子点、III-V族量子点、钙钛矿量子点中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的色转换层，其特征在于，

所述光阻隔墙的高度为10-70μm，和/或所述光阻隔墙的宽度为3-50μm。

5.根据权利要求1所述的色转换层，其特征在于，

所述反射材料选自二氧化钛、氧化锌、二氧化硅以及硫酸钡中的至少一种；

所述反射材料的粒径为50nm-1μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的反射率为80％-100％。

7.一种如权利要求1至6任一所述的色转换层的制备方法，其特征在于，包括：

在能够用于微纳加工的硬质透明基底上均匀旋涂掺杂反射材料的热固化压印胶，形成湿膜；

将压印模具倒置于所述湿膜的上表面，并对所述压印模具进行充分施压；

对施压后的所述掺杂反射材料的热固化压印胶进行加热固化，形成具有微阵列结构排布的光阻隔墙；

脱除所述压印模具后相邻所述光阻隔墙之间形成凹槽结构；

采用刻蚀工艺对所述凹槽结构底部残留的热固化压印胶进行清除处理，得到沟槽；

向所述微阵列结构中指定的沟槽内填充量子点材料形成色转换层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂反射材料的热固化压印胶通过如下方法获得：

对反射材料进行改性，得到改性的反射材料；所述改性的反射材料携带的活性基团与热固化压印胶的活性基团具有相容性；

将所述改性的反射材料和所述热固化压印胶进行干法混合，得到掺杂反射材料的热固化压印胶。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述加热固化的温度为90-150℃；所述加热固化的时间为3-10min。

10.一种如权利要求1至7任一所述的色转换层在所述Micro-LED中的应用，其特征在于，包括：

将所述色转换层设置在所述Micro-LED的上表面，并使所述色转换层的微阵列结构与所述Micro-LED的微阵列结构相对齐；

在所述色转换层的任一发光单元中，所述Micro-LED发射出的蓝光激发所述第二沟槽内绿色量子点材料产生绿光，并激发所述第一沟槽内红色量子点材料产生红光；所述绿光、所述红光以及穿过所述第三沟槽的蓝光相结合生成用于实现所述Micro-LED全彩显示的可见光。