[发明专利]P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法及电池在审
| 申请号： | 202211513569.9 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116093197A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 沈健;赵福祥;金永旭 | 申请（专利权）人： | 韩华新能源（启东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 樊晓娜 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | topcon 太阳能电池 制备 方法 电池 | ||
1.一种P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)对P型硅片进行预处理；
(2)在所述硅片正面生长掩膜层；
(3)在所述硅片背面进行碱抛光；
(4)在所述硅片正面和背面均沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层，再对所述硅片背面磷掺杂得到磷掺杂多晶硅层；
(5)去除所述硅片正面绕扩的磷硅玻璃层、本征多晶硅层、隧穿氧化层、掩膜层及所述硅片背面磷硅玻璃层；
(6)对所述硅片进行退火，在所述硅片背面形成氧化层；
(7)对所述硅片正面沉积第一膜层；
(8)对所述硅片背面沉积第二膜层；
(9)在所述硅片正面、背面分别制备电极，再经过光注入处理得到所述P型Topcon电池。
2.根据权利要求1所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二膜层的材质为氧化铟锡。
3.根据权利要求2所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(8)中，所述第二膜层的制备方法如下：采用磁控溅射的方式进行沉积，靶材为氧化铟锡，氧化铟和氧化锡的质量分数比为(9-10)：1。
4.根据权利要求3所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，温度为300-400℃，氩气流量为100-300sccm，氧气流量为1-10sccm。
5.根据权利要求2所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二膜层的厚度为60-120nm。
6.根据权利要求1所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掩膜层通过等离子体增强化学气相沉积法、热氧法、臭氧氧化法、紫外氧化法制备得的，所述掩膜层厚度为80-150nm。
7.根据权利要求1所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，反应时间为30-60分钟。
8.根据权利要求1所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一膜层包括由内向外依次镀设的氧化铝层和复合介质层，所述复合介质层包括氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层中的一种或多种；所述氧化铝层的厚度为7-20nm，所述复合介质层的厚度为50-90nm。
9.根据权利要求1所述的P型TOPCON背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述氧化层的厚度为3-5nm。
10.一种由权利要求1-9任意一项所述的P型TOPCON背结太阳能制备方法制备得到的P型Topcon背结太阳能电池。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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