[发明专利]基板处理装置及包括其的基板绑定系统及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

环境营造步骤，激活等离子体空间并供应工艺气体而营造对基板表面生成羟基的环境；

选择性自由基提供步骤，激活上等离子体空间并供应工艺气体，通过离子阻断器过滤离子并使自由基扩散；以及

羟基均匀度调节步骤，在所述基板表面的整个区域均匀地生成羟基而调节羟基均匀度。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述环境营造步骤激活下等离子体空间而不激活上等离子体空间。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述环境营造步骤包括：

下等离子体空间激活步骤，通过下等离子体激活部激活下等离子体空间的同时通过气体供应构件供应工艺气体；

自由基及离子生成步骤，在所述下等离子体空间中生成自由基和离子；以及

基板表面粗糙度调节步骤，在基板表面的一部分区域生成羟基的同时通过所述离子调节所述基板表面的粗糙度。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述下等离子体空间激活步骤通过上等离子体激活部不激活上等离子体空间。

5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述基板表面粗糙度调节步骤通过所述离子调节基板表面的粗糙度而营造用于所述基板表面的羟基形成的环境。

6.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述环境营造步骤还包括：

扩散支持步骤，供应载气而支持生成的自由基和离子向基板表面扩散。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述选择性自由基提供步骤包括：

上等离子体空间激活步骤，通过上等离子体激活部激活上等离子体空间的同时通过气体供应构件供应工艺气体；

自由基及离子生成步骤，在所述上等离子体空间中生成自由基和离子；以及

自由基扩散步骤，通过所述离子阻断器过滤离子并使自由基扩散。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

所述自由基扩散步骤包括：

自由基及离子流入步骤，使得所述上等离子体空间中的自由基和离子向所述离子阻断器的扩散空间流入；以及

离子过滤步骤，通过所述离子阻断器过滤离子并使自由基朝向基板表面扩散。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述离子过滤步骤中，所述离子阻断器利用离子的极性带来的移动方向特性过滤离子。

10.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

所述选择性自由基提供步骤还包括：

与上等离子体空间的激活一起通过下等离子体激活部激活下等离子体空间的步骤。

11.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

所述选择性自由基提供步骤还包括：

扩散支持步骤，供应载气而支持生成的自由基向基板表面扩散。

12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述羟基均匀度调节步骤中，在除通过所述环境营造步骤生成有羟基的所述基板表面的一部分区域以外的剩余区域生成羟基而在所述基板表面的整个区域均匀地生成羟基。