[发明专利]一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法，其特征在于，所述神经形态器件包含栅极、栅绝缘层、空穴捕获层、有机半导体层、源电极、漏电极、电解质层；所述电解质层位于有机半导体层的正上方，源漏电极之间，或位于有机半导体层的正下方，空穴捕获层的正上方，或位于栅绝缘层的正上方，空穴捕获层的正下方。

2.如权利要求1所述具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法，其特征在于，所述空穴捕获层材料为alq3(8-羟基喹啉铝)，所述电解质材料为壳聚糖；所述电解质层具有激子淬灭能力。

3.如权利要求1所述具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料为并五苯(Pentacene)。

4.如权利要求1所述具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法，其特征在于，所述电极材料为金属铜，绝缘层材料为SiO₂，厚度为50nm，栅极材料为Si。

5.如权利要求1所述具有光屏蔽效应的神经形态器件及其制备方法，其特征在于，所述除电解质层外，所述器件其余各层制备均采用真空蒸镀法镀膜；所述电解质层采用滴涂法制备。

6.一种权利要求1-5任一项所述的具有光屏蔽效应的神经形态器件的制备方法，其特征在于，所述的具有光屏蔽效应的神经形态器件的制备方法包括如下步骤：

步骤一，超声清洗Si/SiO₂衬底基片，烘干；

步骤二，依次真空蒸镀空穴捕获层，有机半导体层，电极；

步骤三，滴涂壳聚糖溶液作为电解质层；

步骤四，进行电学性质测试和光屏蔽效果测试。

7.如权利要求6所述具有光屏蔽效应的神经形态器件的制备方法，其特征在于，所述的清洗Si/SiO₂衬底基片尺寸大小为2cm×2cm。

8.如权利要求6所述具有光屏蔽效应的神经形态器件的制备方法，其特征在于，所述的真空蒸镀空穴捕获层材料为alq3，薄膜厚度为50nm，蒸镀速率为蒸镀温度为240℃，真空度控制在5×10^-4Pa以下，蒸镀过程中旋转基片；所述的真空蒸镀有机半导体层为Pentacene，薄膜厚度为30nm，蒸镀速率为蒸镀温度不可超过195℃，真空度控制在5×10^-4Pa以下，蒸镀过程中旋转基片。

9.如权利要求6所述具有光屏蔽效应的神经形态器件的制备方法，其特征在于，所述的真空蒸镀电极材料为Cu，电极厚度为50nm，蒸镀速率为蒸镀电流为140A，真空度控制在5×10^-4Pa以下，蒸镀过程中不旋转基片。

10.如权利要求6所述具有光屏蔽效应的神经形态器件的制备方法，其特征在于，所述的滴涂材料为壳聚糖溶液，壳聚糖溶液超声3h，滴涂后在110℃温度条件下退火10min。