[发明专利]一种扇出式芯片封装方法及扇出式芯片封装结构

权利要求书

1.一种扇出式芯片封装方法，其特征在于，包括：

将介质层的第一表面压合在第一载片上，其中，所述介质层还具有与所述第一表面相对的第二表面；

在所述介质层中刻蚀出芯片容纳槽和通孔图案，其中，所述通孔图案中包含有多个通孔，所述芯片容纳槽和每个通孔均贯穿所述介质层的第一表面和第二表面；

将硅桥芯片贴合在所述芯片容纳槽内，并在每个通孔中形成导电柱；

在所述介质层的第二表面上生长第一重布线层，并在所述第一重布线层上生长至少两个接口图案；

将至少两个芯片分别对应倒装焊接在所述至少两个接口图案上；

塑封所述至少两个芯片，以在所述第一重布线层上形成塑封层；

在所述塑封层上贴合第二载片，并去除所述第一载片；

在所述介质层的第一表面生长第二重布线层，并在所述第二重布线层上生长导电凸块图案后，去除所述第二载片。

2.如权利要求1所述的扇出式芯片封装方法，其特征在于，所述硅桥芯片通过所述第一重布线层中的走线和过孔，与所述至少两个接口图案中的每个接口图案电连接；

所述导电柱通过所述第一重布线层中的走线和过孔，与所述至少两个接口图案中的每个接口图案电连接。

3.如权利要求1所述的扇出式芯片封装方法，其特征在于，所述介质层的材料为干膜光刻胶、玻璃或硅。

4.如权利要求1所述的扇出式芯片封装方法，其特征在于，所述在所述介质层中刻蚀出芯片容纳槽和通孔图案包括：

采用光刻刻蚀工艺，在所述介质层中刻蚀出所述芯片容纳槽和通孔图案。

5.如权利要求1所述的扇出式芯片封装方法，其特征在于，所述导电凸块图案通过所述第二重布线层中的走线和过孔，与所述导电柱电连接。

6.如权利要求1所述的扇出式芯片封装方法，其特征在于，所述导电凸块图案中包含有多个导电凸块，且所述多个导电凸块呈阵列排列。

7.如权利要求1所述的扇出式芯片封装方法，其特征在于，在塑封所述至少两个芯片，以在所述第一重布线层的上方形成塑封层之后，所述扇出式芯片封装方法还包括：

研磨所述塑封层，使所述至少两个芯片中每个芯片的表面露出。

8.一种扇出式芯片封装结构，其特征在于，包括：

具有相对的第一表面和第二表面的介质层，其中，所述介质层中嵌设有硅桥芯片和导电柱，所述硅桥芯片和每个导电柱均贯穿所述介质层的第一表面和第二表面；

生长在所述介质层的第一表面上的第一重布线层，所述第一重布线层上生长有至少两个接口图案；

与所述至少两个接口图案一一对应的至少两个芯片，每个芯片倒装焊接在对应的接口图案上；

塑封所述至少两个芯片并形成在所述第一重布线层上的塑封层；

生长在所述介质层的第二表面上的第二重布线层，所述第二重布线层上生长有导电凸块图案。

9.如权利要求8所述的扇出式芯片封装结构，其特征在于，所述介质层的材料为干膜光刻胶、玻璃或硅。

10.如权利要求8所述的扇出式芯片封装结构，其特征在于，所述硅桥芯片通过所述第一重布线层中的走线和过孔，与所述至少两个接口图案中的每个接口图案电连接；

所述导电柱通过所述第一重布线层中的走线和过孔，与所述至少两个接口图案中的每个接口图案电连接。

11.如权利要求8所述的扇出式芯片封装结构，其特征在于，所述导电凸块图案通过所述第二重布线层中的走线和过孔，与所述导电柱电连接。

12.如权利要求8所述的扇出式芯片封装结构，其特征在于，所述导电凸块图案中包含有多个导电凸块，且所述多个导电凸块呈阵列排列。