[发明专利]一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计在审

专利信息
申请号: 202211489602.9 申请日: 2022-11-25
公开(公告)号: CN115734511A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 刘晓辉;谢继华 申请(专利权)人: 南通威斯派尔半导体技术有限公司
主分类号: H05K3/34 分类号: H05K3/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226000 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 amb 封装 框架 端子 焊接 焊料 溢出 工艺 设计
【权利要求书】:

1.一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,具体步骤包括:

S1.对AMB陶瓷覆铜板(4)进行清洗,使用SPS微蚀,即利用过硫酸钠的强氧化力,将铜表面的金属氧化成氧化态金属,之后再利用硫酸将氧化铜剥除,然后经过酸洗和水洗后,检查表面是否清洗干净,确保无脏污、氧化的不良缺陷存在;

S2.清洗后的AMB陶瓷覆铜板(4)通过压膜机在正反两面同时覆盖一层感光干膜,用于后续图形转移的承载物;

S3.将做好的一套菲林底片,包括正反两张安装到曝光机上,操作员通过目视对位,将正反两张菲林进行对准,保证正反图形没有偏差;对位完成后,操作员将AMB陶瓷覆铜板(4)放置到两张菲林中间,并通过Mark点,将所述AMB陶瓷覆铜板(4)与菲林进行对位,对位精确度,决定图形转移的准确度;操作员针对干膜的厚度,选择合适的曝光能量,启动设备,完成自动曝光;

S4.曝光后的AMB陶瓷覆铜板(4),表面覆盖的干膜会呈现不同的颜色,需要通过显影处理,使未曝光的区域的干膜通过碱性显影液进行去除,最终AMB陶瓷覆铜板(4)表面会保留需要的干膜;

S5.将真空蚀刻设备的槽体温度调整到50℃,线速根据AMB陶瓷覆铜板(4)的铜层厚度调整到合适的速度,参数调整到合格的区间后,将显影后的AMB陶瓷覆铜板(4)水平摆放到设备中进行加工,没有干膜保护的铜层会与蚀刻液中的氯化铜发生氧化还原反应,用于将铜去除,从而形成所需要的凹槽;

S6.蚀刻后的AMB陶瓷覆铜板(4)再一次重复步骤S1,清洁干净后通过丝印法,将AMB陶瓷覆铜板(4)放置在网框下面,通过刮刀将油墨刮印到AMB陶瓷覆铜板(4)表面,外观检查合格后,进行烘烤,随后重复步骤S3;

S7.曝光后的AMB陶瓷覆铜板(4)进行显影处理,重复步骤S4;通过碱性显影液将多余的油墨进行去除,从而加工出需要的产品;

S8.检验油墨有无破损或者脱落,铜面有无脏污和氧化,检验合格后,包装出货。

2.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S2中,所述感光干膜的数值范围为20~60μm。

3.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S3中,所述曝光能量的数值范围为100~300mj。

4.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S5中,所述线速的数值范围为0.5~2m/min。

5.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S5中,所述槽体温度的数值偏差范围为±2℃。

6.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S6中,所述烘烤的温度数值范围为70~80℃。

7.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S6中,所述烘烤的时间数值范围为15~20min。

8.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S5中,所述凹槽注入锡膏(2)并且接触焊接端子(1)。

9.根据权利要求1所述的一种减少AMB与封装框架端子焊接的焊料溢出的工艺设计,其特征在于,

所述步骤S5中,所述凹槽的外围设有环端子阻焊围坝(3)。

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