[发明专利]一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法在审
| 申请号： | 202211481845.8 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115732562A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 曹正义;吴云;陶然 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/267;H01L29/26;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 李国政 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 无污染 制备 bn gra 结构 应用于 场效应 晶体管 方法 | ||
1.一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法，其特征在于，具体步骤如下：
步骤一：采用Cu衬底CVD生长的单层石墨烯（GRA）和氮化硼(BN)材料，将Cu/BN材料的Cu面固定在硬质基板上，再将BN与GRA材料面接触，经过高温处理，达到GRA和BN生长温度，使两层Cu接近熔融态，冷却后Cu凝固使GRA与BN结合，腐蚀去除GRA上表面Cu衬底，清洗干净样品；
步骤二：再贴合一层BN材料在GAR材料上，经过高温处理，使两层Cu接近熔融态，冷却后Cu凝固使GRA与BN结合，腐蚀去除BN上表面Cu衬底，清洗干净样品；
步骤三：将BN/GRA/BN结构材料样品固定在目标衬底上，腐蚀去除BN表面Cu衬底，去除基板，清洗干净BN/GRA/BN表面；
步骤四：以平面光刻显影技术隔离图形，去除隔离区外BN/GRA/BN材料，以平面光刻显影技术做出源漏图形，蒸发源漏金属，剥离金属，完成源漏电极制备；
步骤五：以平面光刻显影技术做出栅极图形，生长栅介质，蒸发栅金属，后剥离，完成场效应晶体管器件制备。
2.根据权利要求书1所述的一种大面积无污染多层转移BN/GRA/BN结构制备场效应晶体管方法，其特征在于：所述的步一中的硬质基板可以是石英、蓝宝石和SiC衬底等。
3.根据权利要求书1所述的一种大面积无污染多层转移BN/GRA/BN结构制备场效应晶体管方法，其特征在于：所述的步骤一中的高温处理，达到GRA和BN生长温度，使两层Cu接近熔融态，温度在800-1000℃。
4.根据权利要求书1所述的一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法，其特征在于：所述的步骤一中Cu腐蚀液可用三氯化铁FeCl3、过硫酸铵（NH4)2S2O4等，溶液浓度在0.5-5mol/L。
5.根据权利要求书1所述的一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法，其特征在于：所述的步骤五中制备栅介质时，种类应包括Al2O3，SiO2, AlN, HfO2,Y2O3，栅介质厚度范围1nm-100 nm。
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