[发明专利]一种用于硅片的背封装置及背封方法

说明书

本发明实施例公开了一种用于硅片的背封装置及背封方法；所述背封装置包括：承载单元，所述承载单元用于放置待背封的硅片；活动式设置的隔挡单元，所述隔挡单元用于在背封过程中阻隔所述硅片的边缘与背封反应气体相接触。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于硅片的背封装置及背封方法。

背景技术

外延硅片是集成电路产业的基础材料，大多数大规模集成电路均使用外延硅片制造而成，如互补型金属氧化物半导体图像传感器（CIS，CMOS （Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）Image Sensor）芯片使用重掺外延硅片制造而成。但重掺外延硅片在外延生长过程中不可避免地会存在自掺杂现象，自掺杂现象会导致外延硅片电阻率漂移，从而严重影响外延硅片的品质。

为了防止自掺杂现象的发生，通常需要对硅片进行背封，背封技术是一种常用的阻止自掺杂现象出现的手段，该技术是指在硅片背面生长一层比如氧化硅薄膜之类的背封膜，从而有效抑制自掺杂，减小对电阻率的影响，改善外延硅片的品质。但是，通过背封处理后的硅片虽然可以大大降低自掺杂现象的发生，却会降低外延硅片边缘的外延质量，这主要是由于在外延过程中背封膜的覆盖使得硅片的边缘会聚集大量的多晶缺陷。因此，为了保证外延硅片的产品质量，通常需要在外延工艺前将硅片边缘的背封膜进行去除。

通常去除硅片边缘背封膜的方法为：对硅片上需要保留背封膜的区域进行保护，然后将背封后的硅片整体暴露在HF环境中以去除SiO₂膜。具体来说，若采用的是HF气体，则需要用吸附或挤压的方式对硅片背面不需要去除背封膜的区域进行保护，这种去除方式最大的缺点是气体环境很容易发生泄漏，一旦发生泄漏，背封膜就会全部被破坏，不仅风险高，而且不利于控制成本，也可能对工艺人员造成伤害，并且无法精确控制HF的去除范围；若采用的是HF液体，则对需要保留背封膜的区域进行贴膜，一般采用人工贴膜的方法，具体来说是将不易被HF腐蚀的圆形塑料蓝膜贴附到硅片表面，并将其置于HF溶液中，以去除硅片边缘的背封膜，但由于这种塑料蓝膜的规格有限且成本很高，而且去除精度的控制完全取决于人工贴附是否准确，对工艺人员的操作要求很高，生产效率低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种用于硅片的背封装置及背封方法；能够在背封处理过程中阻隔硅片的边缘沉积背封膜，从而直接避免了对背封膜的去除过程，降低了生产成本；同时也能够避免对工艺人员造成伤害，降低了操作要求，提高了生产效率。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种用于硅片的背封装置，所述背封装置包括：

承载单元，所述承载单元用于放置待背封的硅片；

活动式设置的隔挡单元，所述隔挡单元用于在背封过程中阻隔所述硅片的边缘与背封反应气体相接触。

第二方面，本发明实施例提供了一种用于硅片的背封方法，所述背封方法能够应用于第一方面所述的背封装置，所述背封方法包括：

将待背封的硅片以正面与用于承载硅片的承载单元相邻的方式放置于承载单元上；

移动隔挡单元以使得所述隔挡单元阻隔背封反应气体与所述硅片的边缘相接触；

对所述硅片的背面执行化学气相沉积以在所述硅片的背面生长出一层背封膜。

本发明实施例提供了一种用于硅片的背封装置及背封方法；通过本发明实施例提供的背封装置，在背封过程中通过隔挡单元阻隔硅片的边缘与背封反应气体相接触，使得硅片的边缘不会生长出背封膜，从而避免了后续利用HF环境去除硅片边缘背封膜，降低了生产成本；操作简单，也不会对工艺人员造成损伤，提高了生产效率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种用于硅片的背封装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的隔挡单元的结构示意图；