[发明专利]一种适用于金属陶瓷四极管的调试平台有效
| 申请号: | 202211479815.3 | 申请日: | 2022-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN115579156B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
| 发明(设计)人: | 朱光辉;郭际;魏世东;张新军;毛玉周;高岷民;余才军;秦成明;王磊;张伟;刘鲁南;袁帅;张开 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院;北京航天广通科技有限公司 |
| 主分类号: | G21B1/11 | 分类号: | G21B1/11 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 陈旭红 |
| 地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 适用于 金属陶瓷 四极管 调试 平台 | ||
1.一种适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,包括:可调射频功放结构腔体、低电平信号控制与保护系统、定向耦合器、检波器、网络分析仪和水冷假负载;
其中,所述低电平信号控制与保护系统通过固态功放与所述可调射频功放结构腔体连接;所述定向耦合器的输入端与所述可调射频功放结构腔体连接,所述定向耦合器的正向耦合端与所述检波器或所述网络分析仪连接;所述水冷假负载通过第二同轴馈管与所述可调射频功放结构腔体的输出端连接;
所述可调射频功放结构腔体用于固定金属陶瓷四极管,并引出所述金属陶瓷四极管的各个电极,并通过调节所述各个电极和共振腔体的电气参数,改变所述可调射频功放结构腔体的共振频率;以及用于使所述金属陶瓷四极管进行射频信号的共振输出;所述可调射频功放结构腔体包括:参数调节系统;所述参数调节系统包括:灯丝电源、栅压电源、帘栅压电源和阳极电源;其中,所述灯丝电源、所述栅压电源、所述帘栅压电源和所述阳极电源都具有保护电路;所述灯丝电源用于为所述金属陶瓷四极管的阴极提供0-250A的电流设置;所述栅压电源用于为所述金属陶瓷四极管的栅极提供-450V-0V的电压设置;所述帘栅压电源用于为所述金属陶瓷四极管的帘栅极提供-1500V-0V的电压设置;所述阳极电源包括若干个PSM模块,用于为所述金属陶瓷四极管的阳极提供预设的电压输出和电流输出;
所述低电平信号控制与保护系统用于提供输入信号,并对输入信号波形的频率、幅度、相位和脉宽进行控制;以及用于在系统故障时切断信号激励;
所述定向耦合器通过正向耦合端与所述检波器连接后,用于对所述金属陶瓷四极管输出的波形幅度和波形频率进行测量;
所述定向耦合器通过正向耦合端与所述网络分析仪连接后,用于对所述金属陶瓷四极管进行冷扫调谐;
所述水冷假负载具有主动水冷通道,用于吸收所述金属陶瓷四极管的输出功率。
2.如权利要求1所述的适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,所述可调射频功放结构腔体包括:输入回路和输出回路;
其中,所述输入回路包括并联设置的可调谐电容和串联设置的可调谐电感,用于对所述金属陶瓷四极管进行输入阻抗匹配;
所述输出回路采用同轴谐振方腔结构,根据腔体短路板,调节输出回路电感,以及根据外腔口输出预设频段的射频信号的共振输出。
3.如权利要求2所述的适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,所述输入回路采用分布参数与集总参数结合的结构;其中,所述并联设置的可调谐电容与第一同轴馈管的芯部串联;所述串联设置的可调谐电感采用带状线结构。
4.如权利要求1所述的适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,所述提供输入信号,具体为:提供从毫秒到连续波脉宽、20-150MHz频率范围以及-10-16dBm功率范围的输入信号。
5.如权利要求1所述的适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,所述系统故障包括:固态功放故障、驻波比过高、四极管阳流过荷、帘栅流过荷、栅流过荷和可调射频功放结构腔体打火。
6.如权利要求1-5任意一项所述的适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,所述固态功放分别通过功率计和第一同轴馈管与所述可调射频功放结构腔体连接;其中,所述固态功放包括若干个功率放大模块,用于将所述低电平信号控制与保护系统的输入信号进行线性放大后输出至所述功率计以及通过所述第一同轴馈管输出至所述可调射频功放结构腔体。
7.如权利要求6所述的适用于金属陶瓷四极管的调试平台,其特征在于,所述功率计用于监测所述固态功放的输出功率;以及用于根据入反射功率比例,监测所述固态功放与所述可调射频功放结构腔体的匹配情况。
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