[发明专利]显示芯片及制造方法、凸起光罩、电极光罩及显示装置在审
| 申请号: | 202211479271.0 | 申请日: | 2022-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN115911215A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 张珂;符民 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/44;H01L33/54;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人: | 田丽丽 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 芯片 制造 方法 凸起 极光 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示芯片及制造方法、凸起光罩、电极光罩及显示装置,其中,显示芯片包括基底、隔离膜层以及电极层,基底的一端具有呈阵列排布的像素模块,像素模块的第一出光面正对基底设置。隔离膜层于每个像素模块的位置均设置有包覆凸起,包覆凸起包覆在对应位置的像素模块外,且将至少部分第二出光面包裹在内;第二出光面为像素模块上除第一出光面之外的出光面。每个包覆凸起外均设置有电极层,电极层能够与像素模块电连接,且电极层上具有能够反射光线的反射部,反射部覆盖在至少部分包覆凸起上,能够将包覆凸起包裹住的至少部分第二出光面射出的光线朝向基底反射。通过上述设置,使得本发明实施例能够增加像素模块的出光率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示芯片及制造方法、凸起光罩、电极光罩及显示装置。
背景技术
Micro-LED芯片因其尺寸小、集成度高以及自发光等特点受到广泛关注,Micro-LED芯片具有多个像素出光面。相关技术中的Micro-LED芯片的出光效率低。
发明内容
基于此,有必要针对上述问题,提出了一种能够提高出光效率的显示芯片及制造方法、凸起光罩、电极光罩及显示装置。
第一方面,本发明实施例提供一种显示芯片,所述显示芯片包括:
基底,所述基底的一端具有呈阵列排布的像素模块,所述像素模块的第一出光面正对所述基底设置;
隔离膜层,设置在所述基底排布有所述像素模块的一端上,所述隔离膜层于每个所述像素模块的位置均设置有包覆凸起,所述包覆凸起包覆在对应位置的所述像素模块外,且将至少部分第二出光面包裹在内;所述第二出光面为所述像素模块上除所述第一出光面之外的出光面;
每个所述包覆凸起外均设置有电极层,所述电极层能够与所述像素模块电连接,且所述电极层上具有能够反射光线的反射部,所述反射部覆盖在至少部分所述包覆凸起上,能够将所述包覆凸起包裹住的至少部分所述第二出光面射出的光线朝向所述基底反射。
在显示芯片的一些实施例中,所述像素模块包括设置在基底上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的发光层以及设置在所述发光层上的第二半导体层,所述包覆凸起将所述第二半导体层和所述发光层包裹在内。
在显示芯片的一些实施例中,所述电极层为金属层,所述电极层为金属层,所述电极层的一端包裹在所述包覆凸起外,以形成所述反射部。
在显示芯片的一些实施例中,所述第二半导体层上设置有导电层,所述包覆凸起上贯穿有连接孔,所述电极层在与所述连接孔的对应位置凸设有连接部,所述连接部穿设在所述连接孔中,且所述连接部与所述导电层连接。
在显示芯片的一些实施例中,所述包覆凸起的与所述像素模块相对的另一侧呈半球形设置。
在显示芯片的一些实施例中,所述电极层的与所述包覆凸起相对的另一侧设置有IN层,所述IN层能够和CMOS驱动基板键合连接。
第二方面,本发明实施例还提供一种如上述所述的显示芯片制造方法,该制造方法包括以下步骤:
获取基底,在基底上设置多个像素模块,所述像素模块的第一出光面正对所述基底设置;
在设置有所述多个像素模块的基底上设置一层隔离膜层,所述隔离膜层对应每个所述像素模块的位置设置有包覆在所述像素模块外部的包覆凸起,所述包覆凸起将所述像素模块的至少部分第二出光面包裹在内,所述第二出光面为所述像素模块上除所述第一出光面之外的出光面;
在所述包覆凸起的外部设置电极层,所述电极层具有能够反射光线的反射部,所述反射部覆盖在至少部分所述包覆凸起上。
在显示芯片制造方法的一些实施例中,所述在所述包覆凸起的外部设置电极层之前的步骤,还包括:
获取由光阻材料制成的隔离膜层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市思坦科技有限公司,未经深圳市思坦科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211479271.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





