[发明专利]光伏器件在审
申请号: | 202211478372.6 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN115881833A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 王大鹏;梅芳;齐鹏飞 | 申请(专利权)人: | 宸亚(兰考县)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0296 |
代理公司: | 北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 11678 | 代理人: | 刘新桐 |
地址: | 475399 河南省开封市兰考*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 | ||
1.一种光伏器件,其特征在于,包括:
层叠设置的柔性基材层(10)、水汽阻隔层(20)、电极层(30)、第一缓冲层(40)、吸收层(60)、窗口层(70)以及透光导电层(80),其中,所述第一缓冲层(40)包括:铜掺杂层(41)以及无铜元素掺杂的分隔层(42),所述分隔层(42)位于所述铜掺杂层(41)与所述吸收层(60)之间。
2.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述铜掺杂层(41)为铜掺杂钼层;和/或,所述分隔层(42)为钼层或镍层。
3.根据权利要求2所述的光伏器件,其特征在于,所述铜掺杂钼层的铜/钼比率大于0%且小于或等于20%。
4.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述铜掺杂层(41)的厚度在10至1000nm之间,所述分隔层(42)的厚度大于0nm且小于或等于300nm。
5.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述光伏器件还包括:
碲层(51),设置于所述第一缓冲层(40)与所述吸收层(60)之间。
6.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述光伏器件还包括:
第二缓冲层(50),设置于所述第一缓冲层(40)与所述吸收层(60)之间,所述第二缓冲层(50)包括:第一子缓冲层以及位于所述第一子缓冲层与所述吸收层(60)之间的第二子缓冲层(52),所述第一子缓冲层为碲层(51),所述第二子缓冲层(52)的材料包括氧化钼、氧化钨、碲化锑或碲化锌中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的光伏器件,其特征在于,所述碲层(51)的厚度在10至1000nm之间,所述第二子缓冲层(52)的厚度大于0且小于或等于1000nm。
8.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述透光导电层(80)包括第一子透光导电层(82)以及位于所述第一子透光导电层(82)与所述窗口层(70)之间的第二子透光导电层(81),所述第一子透光导电层(82)为TCO层,所述第二子透光导电层(81)的材料包括氧化锡或氧化锌中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述吸收层(60)为厚度在1000至5000nm之间的碲化镉层。
10.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述窗口层(70)的厚度在20至300nm之间,所述窗口层(70)的材料包括硫化镉或硒化镉中的一种或多种。
11.根据权利要求1所述的光伏器件,其特征在于,所述水汽阻隔层(20)的厚度在100至2000nm之间,所述水汽阻隔层(20)的材料为氧化硅、氮化钛或氮化硅中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的