[发明专利]快恢复超结器件的制造方法及其器件在审
| 申请号： | 202211470332.7 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115910778A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李晴;马栋;王岩;赵蕴琦;谭建兵;张健毓;吴佳丽 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02;H01L21/321;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恢复 器件 制造 方法 及其 | ||
1.一种快恢复超结器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，执行前序集成电路制造工艺，至层间电介质沉积步骤；
步骤S2，层间电介质沉积，所述层间电介质沉积步骤中至少包括沉积氮化硅膜；
步骤S3，金属层作业步骤，所述金属层作业步骤中包括进行热处理，使金属层形成金属合金层。
步骤S4，钝化层作业步骤；
步骤S5，电子辐照；
步骤S6，退火；
步骤S7，执行后续集成电路制造工艺，完成快恢复超结器件的制造。
2.如权利要求1所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤A1，沉积氮化硅膜；步骤A2，沉积O3TEOS膜；步骤A3，沉积PETEOS膜。
3.如权利要求2所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于：
所述氮化硅膜的厚度为400A或1000A。
4.如权利要求2所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于：
所述O3TEOS膜的厚度为2200A。
5.如权利要求2所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于：
所述PETEOS膜的厚度为9000A。
6.如权利要求1所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
步骤B1，金属层沉积；步骤B2，金属层刻蚀；步骤B3，进行热处理，使金属层形成金属合金层。
7.如权利要求6所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于：
所述步骤B3中的工艺参数为450摄氏度60min，氢气H2和氮气N2氛围。
8.如权利要求1所述的快恢复超结器件的制造方法，其特征在于：
所述步骤S6，退火的工艺参数为350摄氏度90Min。
9.一种块恢复超结器件，其特征在于：其由权利要求1至8任一项所述的快恢复超结器件的制造方法制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
