[发明专利]一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底

权利要求书

1.一种AlN衬底制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基质衬底；

基于所述基质衬底的表面沉积第一AlN层；

基于所述第一AlN层的表面沉积第二AlN层，并获取晶圆；其中，所述第一AlN层的致密性低于所述第二AlN层的致密性；

将所述晶圆进行退火处理，以在所述基质衬底与所述第一AlN层的界面处形成空气孔洞；

将所述基质衬底与所述第一AlN层剥离，以获取AlN衬底。

2.如权利要求1所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，所述基于所述基质衬底的表面沉积第一AlN层的步骤包括：

利用磁控溅射工艺在第一温度下沉积第一AlN层；

所述基于所述第一AlN层的表面沉积第二AlN层的步骤包括：

利用MOCVD、HVPE、MBE、PVT或CVT工艺在第二温度下沉积第二AlN层；其中，第二温度高于第一温度。

3.如权利要求2所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，所述利用磁控溅射工艺在第一温度下沉积第一AlN层的步骤包括：

利用磁控溅射工艺在小于900℃的温度下沉积第一AlN层；

所述利用MOCVD、HVPE、MBE、PVT或CVT工艺在第二温度下沉积第二AlN层的步骤包括：

利用MOCVD、HVPE、MBE、PVT或CVT工艺在大于1000℃的温度下沉积第二AlN层。

4.如权利要求1所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，所述基于所述基质衬底的表面沉积第一AlN层的步骤包括：

基于所述基质衬底的表面沉积厚度为小于或等于50nm的第一AlN层；

所述基于所述第一AlN层的表面沉积第二AlN层，并获取晶圆的步骤包括：

基于所述第一AlN层的表面沉积小于或等于2μm的第二AlN层。

5.如权利要求1所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，所述将所述晶圆进行退火处理，以在所述基质衬底与所述第一AlN层的界面处形成空气孔洞的步骤包括：

将所述晶圆置于温度为1500℃～1900℃的高温退火炉中退火30min～12h，保护气氛为氮气、氢气、一氧化碳中的至少一种。

6.如权利要求1所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，将所述基质衬底与所述第一AlN层剥离，以获取AlN衬底的步骤包括：

基于所述第二AlN层的表面沉积第三AlN层，以使所述第一AlN层与所述基质衬底自解离；其中，所述第三AlN层的厚度大于所述第二AlN层的厚度。

7.如权利要求1所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，将所述基质衬底与所述第一AlN层剥离，以获取AlN衬底的步骤包括：

基于所述第二AlN层的表面沉积第三AlN层，其中，所述第三AlN层的厚度大于所述第二AlN层的厚度；

利用激光剥离工艺将所述基质衬底与所述第一AlN层剥离。

8.如权利要求6或7所述的AlN衬底制作方法，其特征在于，所述第二AlN层的厚度小于或等于2μm，所述基于所述第二AlN层的表面沉积第三AlN层的步骤包括：

基于所述第二AlN层的表面沉积10～1000μm第三AlN层。

9.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括：

基质衬底；

位于所述基质衬底的表面的第一AlN层；其中，所述基质衬底与所述第一AlN层的界面处形成有空气孔洞；

位于所述第一AlN层的表面的第二AlN层，其中，所述第一AlN层的致密性低于所述第二AlN层。

10.一种AlN衬底，其特征在于，利用如权利要求1至8任一项所述的AlN衬底制作方法制作而成，所述AlN衬底包括：

第一AlN层；

位于所述AlN层的表面的第二AlN层；其中，所述第一AlN层的致密性低于所述第二AlN层的致密性。