[发明专利]一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法在审
| 申请号: | 202211446917.5 | 申请日: | 2022-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN115728119A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
| 发明(设计)人: | 吴忠亮;吕进;赵德刚;胡开朋 | 申请(专利权)人: | 北京铭镓半导体有限公司 |
| 主分类号: | G01N1/32 | 分类号: | G01N1/32;G01N21/84 |
| 代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 侯巍巍 |
| 地址: | 101300 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 快速 确定 磷化 切割 及其 定位 取向 方法 | ||
1.一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
S1,采用手工抛光液对从磷化铟晶棒端面切取的(100)面切割片进行手工抛光,获得抛光过后的磷化铟切割片;
S2,将所述抛光过后的磷化铟切割片与第一腐蚀液接触后进行第一次腐蚀,获得第一次腐蚀后的磷化铟切割片;
S3,对所述第一次腐蚀后的磷化铟切割片清洗后与第二腐蚀液接触进行第二次腐蚀,获得第二次腐蚀后的磷化铟切割片;
S4,对第二次腐蚀后的磷化铟切割片清洗和干燥后,在光学显微镜下观察第二次腐蚀后的磷化铟切割片上的位错腐蚀坑的形状,即可确定磷化铟切割片及其晶棒的定位面的取向;
其中所述第二腐蚀液中包含氢溴酸溶液,氢溴酸溶液中氢溴酸的质量分数为39~41%,优选为40%。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述位错腐蚀坑为长方形,所述长方形的长边平行于(0-1-1)晶面,短边平行于(0-11)晶面。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第二腐蚀液由氢溴酸溶液和水组成;所述氢溴酸溶液与水的体积比为(3~4.5):(0.7~1.5),优选为3.5:1。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第二次腐蚀的条件为:温度30~50℃,时间30~120秒。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述手工抛光液包括甲醇溶液和液溴溶液,所述甲醇溶液和液溴溶液的体积比为(3~5):1;所述甲醇溶液中甲醇的质量分数为99~100%,所述液溴溶液中液溴的质量分数为99~100%。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一腐蚀液中包括酸溶液、双氧水溶液和水;所述酸溶液、双氧水溶液和水的体积比为(0.8~1.2):(3~6):(10~15)。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述酸溶液由硫酸溶液和柠檬酸溶液组成,所述硫酸溶液和柠檬酸溶液的体积比为(5~8):1。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述硫酸溶液中硫酸的质量分数为98~99.5%,优选为98%;所述柠檬酸溶液中柠檬酸的质量分数为40~45%,优选为45%;所述双氧水溶液中双氧水的质量分数为30~32%,优选为30%。
9.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一次腐蚀的条件为:温度20~40℃,时间为1~3分钟。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述从磷化铟晶棒端面切取的(100)面切割片在进行手工抛光前预先采用研磨液将所述切割片表面的锯纹磨掉。
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