[发明专利]一种晶片抛光液组合物

权利要求书

1.一种晶片抛光液组合物，其特征在于所述抛光液由硅溶胶研磨介质、络合剂、表面活性剂、pH调节剂和去离子水组成，各成分的质量百分比如下：

10~25wt%硅溶胶研磨介质：氧化硅磨料介质颗粒的尺寸集中在20-30nm，D₉₈≤40nm；

2.5-2.8wt.% 络合剂：对-羟基苯-β-D-吡喃葡萄糖苷；

0.5-0.7wt.%表面活性剂：羟乙基乙二胺；

pH调节剂：二乙烯三胺，调节pH在10-11范围内；

余量去离子水；

所述抛光液组合物对于氧化铝晶片的抛光粗糙度Ra=0.4-0.6nm，去除率1.67-1.94μm/h。

2.如权利要求1所述的一种晶片抛光液组合物，其特征在于所述晶片抛光液组合物通过如下方法制备：

（1）将颗粒的尺寸集中在20-30nm的硅溶胶研磨介质分散在适量的去离子水中，在搅拌过中加入羟乙基乙二胺表面活性剂，以100-150rpm的速度，常温搅拌10-15min，形成稳定悬浮液；

（2）向上述悬浮溶液中加入对-羟基苯-β-D-吡喃葡萄糖苷络合剂，30-35℃下以100-150rpm的速度搅拌2-3min后，补充余量常温去离子水；

（3）使用二乙烯三胺pH调节剂调节溶液的pH值范围为10-11范围内，获得晶片抛光液组合物。

3.如权利要求1所述的一种晶片抛光液组合物，其特征在于所述氧化铝晶片在抛光后，放入60W，40KHz的超声清洗仪中处理2-3min，所述超声清洗仪中的溶液为50wt.%乙醇溶液，然后进行烘干处理，氧化铝晶片表面的氧化硅磨料介质颗粒的残存率低于3颗/μm²。