[发明专利]一种电压调整电路、集成电路以及稳压器在审
| 申请号： | 202211438938.2 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115756052A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘辉;何春霖 | 申请（专利权）人： | 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 王榧 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 调整 电路 集成电路 以及 稳压器 | ||
1.一种电压调整电路，其特征在于，包括类LDO结构、SSF输出结构以及连接所述类LDO结构与所述SSF输出结构的第一PMOS管；所述类LDO结构包括误差放大器以及由第一NMOS和第一分压电阻串构成的反馈回路；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一PMOS管的栅极连接所述SSF输出结构，为所述SSF输出结构提供偏置电压，所述SSF输出结构连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端；所述SSF输出结构的输出端接入负载。
2.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述类LDO结构包括误差放大器、第一NMOS管以及第一分压电阻串；所述误差放大器的输出端连接所述第一NMOS管的栅极，所述误差放大器的反向输入端连接所述第一分压电阻串，所述第一分压电阻串和所述第一NMOS管构成所述误差放大器的反馈回路。
3.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述SSF输出结构包括第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管以及第二分压电阻串；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二NMOS管的栅极连接所述类LDO结构中的误差放大器的输出端，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二分压电阻串的一端连接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；所述第三PMOS管的漏极输出与所述第二NMOS管的源极输出形成所述SSF输出结构的输出端。
4.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述SSF输出结构有若干个，每一所述SSF输出结构均与所述第一PMOS管以及所述类LDO结构连接，每一所述SSF输出结构的输出端均接入负载。
5.根据权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于，所述第一分压电阻串由两个电阻构成。
6.根据权利要求3所述的电压调整电路，其特征在于，所述第二分压电阻串与所述第一分压电阻串的阻值相同。
7.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的电压调整电路。
8.一种稳压器，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的电压调整电路。
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