[发明专利]反射型掩模坯料和反射型掩模在审
申请号: | 202211432845.9 | 申请日: | 2022-11-16 |
公开(公告)号: | CN116136642A | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 生越大河;高坂卓郎 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/26 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 谭冀 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 型掩模 坯料 | ||
1.反射型掩模坯料,包含基板、在所述基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜,其中
所述多层反射膜具有在其中交替层叠低折射率层和高折射率层的周期性层叠结构部,
构成所述多层反射膜的所述低折射率层中的至少一个具有由第一子层和第二子层组成的两层结构,
所述第一子层包含钼(Mo)和至少一种选自由氮(N)、碳(C)、硼(B)、硅(Si)和氢(H)构成的组的添加元素,并具有大于0.3nm且不大于0.6nm的厚度,和
所述第二子层包含钼(Mo)并基本上不含除钼(Mo)之外的其它元素。
2.根据权利要求1所述的反射型掩模坯料,其中在所述低折射率层中,在基板侧形成第一子层,且在远离基板侧形成第二子层。
3.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料,其中所述高折射率层包含硅(Si)。
4.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料,其中所述多层反射膜具有不小于2.6nm的微晶直径,其由在X-射线衍射中检测的Mo(110)的X-射线衍射峰计算。
5.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料,其中
所述基板具有所述一个主表面为152mm-见方和厚度为6.35mm的尺寸,和
在所述一个主表面的中心处142mm-见方的范围内的平坦度的改变量(△TIR),即形成所述多层反射膜前后的平坦度差,以绝对值计不大于0.7μm。
6.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料,包含保护层,其在远离基板侧形成并与所述周期性层叠结构部接触。
7.根据权利要求1或2所述的反射型掩模坯料,还包含吸收体膜,其吸收所述多层反射膜上的曝光光。
8.反射型掩模,包含通过将根据权利要求7所述的反射型掩模坯料的所述吸收体膜图案化而形成的图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211432845.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:穿过壳体壁传导电流的电导体及其制造方法
- 下一篇:开关调整器电路
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备