[发明专利]一种光伏硅渣微晶薄板的生产方法

权利要求书

1.一种光伏硅渣微晶薄板的生产方法，其特征在于将光伏硅渣、钙基废料、辅助原料、助熔澄清剂和水混合均匀后投入熔窑，经均化、澄清后形成高温熔体，再将高温熔体经过压延或浇注制成基础非晶薄板，将基础非晶薄板经过晶化处理形成微晶薄板毛坯板；所述光伏硅渣为工业硅冶炼过程产生的硅渣；所述钙基废料为石灰石废料或大理石废料或方解石废料；所述辅助原料为氧化铝或氧化锌或碳酸钠或碳酸钾或氧化镁或萤石或硝酸钠中的至少四种材料；所述助熔澄清剂为CeO₂，Na₂O，Al₂O₃，SiO₂，CaO，Li₂O，NH₄NO₃，NaNO₃和Na₂SO₄中的至少任意一种。

2.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述光伏硅渣占光伏硅渣、钙基废料、辅助原料、助熔澄清剂和水总质量的20.0～35.0wt％，钙基废料占光伏硅渣、钙基废料、辅助原料、助熔澄清剂和水总质量的10.0～25.0wt％，辅助原料占光伏硅渣、钙基废料、辅助原料、助熔澄清剂和水总质量的35.0～43.0wt％，助熔澄清剂占光伏硅渣、钙基废料、辅助原料、助熔澄清剂和水总质量的2.0～10.0wt％。

3.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述光伏硅渣中SiO₂占光伏硅渣总质量的55.0～65％，Fe₂O₃占光伏硅渣总质量的0.5～1.0％，Al₂O₃占光伏硅渣总质量的5.0～15.0％，CaO占光伏硅渣总质量的10.0～25.0％。

4.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述钙基废料中CaO占钙基废料总质量的45.0～55％，SiO₂占钙基废料总质量的0.01～1.5％，Al₂O₃占钙基废料总质量的0.01～2.0％，MgO占钙基废料总质量的0.01～2.0％，Fe₂O₃占钙基废料总质量的0.01～2.0％。

5.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述助熔澄清剂中CeO₂，Na₂O，Al₂O₃，SiO₂，CaO，Li₂O，NH₄NO₃，Na₂SO₄的质量比为0～5:0～28:0～6:0～10:0～11:0～4:1～5:0～13。

6.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述辅助原料中纯碱、氧化铝、氧化锌、碳酸钠、碳酸钾、氧化镁、萤石和硝酸钠的质量比为8～35:0～5:0～4: 0～5:5～17:0～7:7～14:0～17。

7.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述光伏硅渣、钙基废料和辅助原料的粒径小于2mm。

8.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于所述熔窑的熔化温度为1300～1600℃，在熔窑内的熔化时间为1.0～10.0h。

9.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于将温度为1100～1200℃的高温熔体通过对辊压延机压延制成非晶态基础薄板；再将非晶态基础薄板经400～650℃退火2.0～8.0h，然后再于650～950℃晶化1.0～9.0h，最后再于25～600℃退火2.0～8.0h，制成微晶薄板。