[发明专利]一种气凝胶隔热谐振腔结构太赫兹探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种气凝胶隔热谐振腔结构太赫兹探测器，包括衬底(1)，绝缘层(2)，金属反射层(3)，隔热层(4)，热敏电阻薄膜(5)和金属电极(6)，其特征在于：

所述的太赫兹探测器自衬底(1)之上依次为绝缘层(2)、金属反射层(3)、隔热层(4)、热敏电阻薄膜(5)和金属电极(6)；

所述的衬底(1)为硅片衬底；

所述的绝缘层(2)为二氧化硅绝缘层，厚度为150nm；

所述的金属反射层(3)为铝反射层，厚度为200nm；

所述的隔热层(4)为二氧化硅气凝胶隔热层；

所述的隔热层(4)同时作为太赫兹光学吸收增强谐振腔的介质层，其厚度根据器件设计要求而定，按照光学厚度等于所需探测的目标太赫兹辐射波长的1/4确定；所述的光学厚度为折射率与厚度的乘积；

所述的热敏电阻薄膜(5)为氧化钒热敏电阻薄膜，厚度为0.6-0.8μm；

所述的金属电极(6)为铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm。

所述的金属电极(6)位于热敏电阻薄膜(5)的两端。

2.一种制备如权利要求1所述的一种气凝胶隔热谐振腔结构太赫兹探测器的方法，其特征在于方法步骤如下：

1)在硅片上采用磁控溅射方法制备二氧化硅绝缘层，厚度为150nm；

2)在二氧化硅绝缘层上采用磁控溅射方法制备铝反射层，厚度为200nm；

3)在铝反射层上采用溶胶—凝胶方法制备二氧化硅气凝胶隔热层；

4)在二氧化硅气凝胶隔热层上采用磁控溅射方法制备氧化钒热敏电阻薄膜，厚度为0.6-0.8μm；

5)通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，将氧化钒热敏电阻薄膜制备成分立的探测元；

6)通过光刻、腐蚀、显影处理等光刻图形工艺，采用磁控溅射方法或双离子束溅射方法在氧化钒热敏电阻薄膜探测元的两端制备铬和金复合电极，厚度分别为30nm和150nm。