[发明专利]焊盘结构及光刻拼接工艺的在线监控方法在审
| 申请号： | 202211420247.X | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN115910825A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 孙成洋;钱俊;孙昌;秋沉沉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/146;G03F1/00;G03F1/38;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 盘结 光刻 拼接 工艺 在线 监控 方法 | ||
1.一种焊盘结构，其特征在于，包括：多个主焊盘和位于每个所述主焊盘中的多个副焊盘；其中，所述多个主焊盘沿X方向或Y方向依次并排间隔排列，而位于每个主焊盘中的多个副焊盘则沿X方向和Y方向依次间隔对称排列。
2.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述主焊盘为正四边形，所述主焊盘的边长范围为400μm～600μm。
3.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述副焊盘为正方向，所述副焊盘的边长范围为50μm～70μm。
4.如权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，多个所述主焊盘的尺寸相同或不同，多个所述副焊盘的尺寸均相同。
5.一种光刻拼接工艺的在线监控方法，其特征在于，包括如下步骤：
确定拼接芯片版图，所述拼接芯片版图用于利用超级拼接工艺制造的包含超大像素单元的图像传感器，并基于所述权利要求1-4中任一项所述的焊盘结构，在所述拼接芯片版图中的拼接芯片的外围设置至少一个所述焊盘结构；
对包含所述焊盘结构的拼接芯片版图进行包括多次分区域曝光的光刻拼接工艺，以在目标晶圆上形成包含多个与所述拼接芯片版图相对应的拼接芯片的实际版图；
对所述拼接芯片的实际版图进行测量，以确定出所述拼接芯片的尺寸，并在对所述拼接芯片进行对准、划片后，找出预置焊盘结构，并利用该预置焊盘结构测量该拼接芯片的膜厚。
6.如权利要求5所述的光刻拼接工艺的在线监控方法，其特征在于，所述目标晶圆所包含的拼接芯片的数目﹤16。
7.如如权利要求6所述的光刻拼接工艺的在线监控方法，其特征在于，所述目标晶圆所包含的拼接芯片的数目为2。
8.如权利要求5所述的光刻拼接工艺的在线监控方法，其特征在于，所述拼接芯片的实际版图尺寸大于26mm×33mm。
9.如权利要求5所述的光刻拼接工艺的在线监控方法，其特征在于，采用人工测量的方式确定所述拼接芯片的尺寸。
10.如权利要求9所述的光刻拼接工艺的在线监控方法，其特征在于，采用人工操作的方式对所述目标晶圆进行划片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
