[发明专利]一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，包括六方氮化硼(3)，六方氮化硼(3)的两侧面分别设置有第一石墨烯条带(1)和第二石墨烯条带(2)，第一石墨烯条带(1)和第二石墨烯条带(2)为周期性排布的石墨烯条带，第二石墨烯条带(2)铺设在聚二甲基硅氧烷柔性衬底(4)上，第一石墨烯条带(1)上方设置有离子液体栅极(5)。

2.如权利要求1所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述第一石墨烯条带(1)的参数与第二石墨烯条带(2)的参数相同。

3.如权利要求2所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述第一石墨烯条带(1)为单层石墨烯。

4.如权利要求3所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述第一石墨烯条带(1)的石墨烯条带排布带周期为3μm，石墨烯条带宽度在0.5μm-2.5μm之间。

5.如权利要求4所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述第一石墨烯条带(1)的石墨烯条带宽度为2.5μm。

6.如权利要求4所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述第一石墨烯条带(1)的石墨烯条带为立方体结构。

7.如权利要求1所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述六方氮化硼(3)的厚度为100nm。

8.如权利要求1所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷柔性衬底(4)厚度为300μm。

9.一种如权利要求1所述的基于二维异质结的太赫兹波主动调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.制备单层石墨烯，在单层石墨烯表面上旋涂PMMA，烘干、刻蚀、清洗后转移至硅片表面进行电子束曝光和氧等离子体刻蚀，完成石墨烯周期条带的制备；

S2.将制备好的石墨烯周期条带旋涂PMMA后转移到剥离的六方氮化硼(3)的两个侧面，去除PMMA后将样品放置在聚二甲基硅氧烷柔性衬底(4)上，使第二石墨烯条带(2)位于六方氮化硼(3)与聚二甲基硅氧烷柔性衬底(4)之间；

S3.在六方氮化硼(3)和第一石墨烯条带(1)的表面均匀旋涂一层离子液体，并利用电子束蒸镀制备离子液体栅极(5)，完成调制器的制备。

10.如权利要求9所述的一种基于二维异质结的太赫兹波主动调制器的制备方法，其特征在于，所述S1中单层石墨烯的制备过程为利用甲烷和氢气通过化学气相沉积的方法完成石墨烯的生长，甲烷和氢气按照1:2的比例通入到温度在1000℃左右的电阻炉石英管反应室中生长单层石墨烯。