[发明专利]一种有源双向谐振腔移相器在审
| 申请号: | 202211411482.0 | 申请日: | 2022-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN116190944A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
| 发明(设计)人: | 卢子焱;韩思扬;刘云刚 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18;H01P7/08;H03H11/20;H04B1/40 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 管高峰 |
| 地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有源 双向 谐振腔 移相器 | ||
1.一种有源双向谐振腔移相器,其特征在于,包括端口P1-P4、晶体管M1-M4、电流源晶体管M5和M6、中心抽头电感L1和L2、耦合传输线DTL1-DTL4,其中:
晶体管M1-M4的栅极分别连接端口P1-P4,晶体管M1、M2的漏极分别连接端口P3、P4,源极相连并接到电流源晶体管M5的漏极;晶体管M3、M4的漏极分别连接端口P2、P1,源极相连并接到电流源晶体管M6的漏极;电流源晶体管M5的栅极连接发射偏置电压VBTX,源极接地;电流源晶体管M6的栅极连接接收偏置电压VBRX,源极接地;
中心抽头电感L1跨接在端口P1和P2之间,其中心抽头连接电源电压,为晶体管M1和M2的栅极提供直流偏置;中心抽头电感L2跨接在端口P3和P4之间,其中心抽头连接电源电压,为晶体管M3和M4的栅极提供直流偏置;中心抽头电感L1和L2相互缠绕,形成耦合线圈TF1;
耦合传输线DTL1-DTL4作为可变电容,一端分别依次连接晶体管M1-M4的漏极,另一端悬空;耦合传输线DTL1、DTL2和耦合线圈TF1形成发射耦合谐振腔,耦合传输线DTL3、DTL4和耦合线圈TF1形成接收耦合谐振腔,通过数字信号能够控制耦合传输线DTL1-DTL4的对地电容,从而改变耦合谐振腔的谐振特性,实现数控移相。
2.根据权利要求1所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,耦合传输线DTL1-DTL4由顶层金属传输线及其下方与其垂直且可控通断的底层金属条组成,通过数字信号控制耦合传输线DTL1-DTL4中底层金属条的通断能够改变顶层金属线传输线的对地电容。
3.根据权利要求1所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,耦合传输线DTL1-DTL4为基于数控人工电介质的耦合传输线。
4.根据权利要求1所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,所述有源双向谐振腔移相器处于发射模式时,发射偏置电压VBTX设置为一固定非零值,使电流源晶体管M5处于饱和状态,VBRX为零,从而使电流源晶体管M6截止。
5.根据权利要求1所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,所述有源双向谐振腔移相器处于接收模式时,接收偏置电压VBRX设置为一固定非零值,使电流源晶体管M6处于饱和状态,发射偏置电压VBTX为零,从而使电流源晶体管M5截止。
6.根据权利要求1-5任一项所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,端口P1-P4均为双向端口,其中端口P1和P2构成一组差分端口,端口P3和P4构成另一组差分端口。
7.根据权利要求6所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,所述有源双向谐振腔移相器处于发射模式时,端口P1和P2作为输入端,端口P3和P4为输出端。
8.根据权利要求6所述的有源双向谐振腔移相器,其特征在于,所述有源双向谐振腔移相器处于接收模式时,端口P3和P4作为输入端,端口P1和P2为输出端。
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