[发明专利]基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统及方法在审

专利信息
申请号: 202211409815.6 申请日: 2022-11-10
公开(公告)号: CN115951448A 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 李仲阳;刘阳;时阳阳;王泽静 申请(专利权)人: 武汉量子技术研究院
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/122;G02B6/124;G02B27/00;G06F30/23
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 许美红
地址: 430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 基于 逆向 设计 波长 解复用 集成 ar 显示 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,包括介质衬底层、光波导层、元光栅结构和纳米砖结构;

光波导层设置在介质衬底层之上;

元光栅结构,布设在光波导层之上,其采用逆向设计进行结构优化,使得垂直入射元光栅结构的两个不同波长的光束,沿相反的方向进入光波导层;

纳米砖结构排布在光波导层上,且在元光栅结构的两侧,为根据迂回相位原理排列的片上超表面纳米砖阵列,使得在光波导层沿相反方向传播的导波经过纳米砖结构时解耦合到自由空间中形成任意的光场,分别实现目标图像的全息显示。

2.根据权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,逆向设计的优化目标为两不同波长的自由空间光耦合进光波导层相反方向的效率以及分离比。

3.根据权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,逆向设计具体采用二进制编码,将待设计区域的元光栅结构分解为长度为200的二进制序列,1和0分别表示对应区域是被硅填充还是空白;利用时域有限差分方法对元光栅进行电磁学仿真,计算耦合效率和分离比的适应度函数;根据适应度函数选择个体,并借助于遗传算子进行组合交叉和变异,产生新的种群;循环此过程,在满足终止条件后输出最佳个体及最优解,得到最终的元光栅结构。

4.根据权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,纳米砖结构的排布具体根据Gerchberg-Saxton算法计算要实现目标图像全息所需的相位分布矩阵,之后根据迂回相位给出的相位与纳米砖相对位移之间的关系获取纳米砖的位置信息,得到每个单元结构内纳米砖的位置排布。

5.根据权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,介质衬底层为二氧化硅层;光波导层为采用等离子体增强化学气相沉积技术在介质衬底层上沉积的Si3N4

6.根据权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,元光栅结构为一维光栅结构,形成两个相反的光通道,垂直入射元光栅结构的两个不同波长的光束,沿相反的方向进入光波导层;

或者元光栅结构为二维光栅,在每个维度上各形成两个相反的光通道。

7.根据权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,纳米砖结构中的纳米砖的长、宽相等且均为亚波长尺度,且大小完全一致。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其特征在于,以平行于光波导层的工作面的两条边的方向为x轴和y轴,建立xoy坐标系,元光栅和纳米砖的长轴、短轴均与光波导层的工作面平行。

9.一种基于逆向设计波长解复用双颜色通道的AR全息显示方法,其特征在于,其基于权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统,其将元光栅结构作为波长复用输入耦合器,将纳米砖结构作为解耦器,实现两通道的全息显示。

10.一种基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统的应用,其特征在于,将权利要求1所述的基于逆向设计波长解复用的片上集成AR显示元系统作为镜片,集成到AR显示装置中,实现多波长通道的AR显示,将虚拟全息图像信息投射到真实环境中。

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