[发明专利]闪存数据读取方法及其装置、电子设备、存储介质

说明书

本发明公开了一种闪存数据读取方法及其装置、电子设备、存储介质，其中，闪存数据读取方法包括：在查询到闪存块不具有优先回收标志的情况下，使用默认电压进行第一读取处理；在第一读取处理发生纠错校验失败的情况下，进行重读处理；在重读处理纠错校验成功的情况下，记录重读处理中所使用的retry参数，并输出Ecc limit值和读取的闪存数据；根据闪存块不具有优先回收标志的情况和Ecc limit值，对闪存数据所在的闪存块进行优先回收标记处理。根据本发明实施例的方案，能够提高读取效率，减小将稳定数据误判为不稳定数据的概率，降低由于频繁地进行优先回收所带来的读写性能损失和写放大，提高闪存的可靠性和耐用性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其是一种闪存数据读取方法及其装置、电子设备、存储介质。

背景技术

闪存受到数据保留、读干扰等自身特性，以及温度等环境因素的影响，会产生一些误码数据，此时对闪存进行读操作，有可能会纠错失败。通常，对闪存进行读操作时，首先会用默认参考电压进行数据读取，如果出现纠错失败的情况，则进入读取重试流程。读取重试流程中，会遍历闪存原厂提供的retry参数表调整参考电压，以调整后的参考电压重新进行读操作，直到将数据读对。当以默认参考电压进行的读操作纠错失败而进入读取重试流程中纠错成功时，读取到的数据通常被认为是不稳定数据，需要被优先回收。retry参数表为了尽可能的覆盖各种应用场景，一般较为庞大，当进入读取重试流程时逐个遍历retry参数会带来较大的时间消耗。

相关技术中，通过优先采用前次重试成功时记录的参数所对应的电压值进行读操作，减小读取重试流程的耗时。如果一组数据在采用默认参考电压或采用记录的retry参数的情况下均可以被读对，则其为稳定性较好的数据。而优先采用记录的retry参数，则可能会导致稳定性较好的数据被误判为不稳定数据，这种误判会增加进行优先回收的概率，频繁地进行优先回收会降低读写性能、增加写放大，降低闪存的可靠性、耐用性。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。

本发明实施例提供了一种闪存数据读取方法及其装置、电子设备、存储介质，能够提高读取效率，减小将稳定数据误判为不稳定数据的概率，降低由于频繁地进行优先回收所带来的读写性能损失和写放大，提高闪存的可靠性和耐用性。

第一方面，本发明实施例提供了一种闪存数据读取方法，包括：在查询到闪存块不具有优先回收标志的情况下，使用默认电压进行第一读取处理；在所述第一读取处理发生纠错校验失败的情况下，进行重读处理；在所述重读处理纠错校验成功的情况下，记录所述重读处理中所使用的retry参数，并输出Ecc limit值和读取的闪存数据；根据所述闪存块不具有优先回收标志的情况和所述Ecc limit值，对所述闪存数据所在的所述闪存块进行优先回收标记处理。

根据本发明的一些实施例，所述在查询到闪存块不具有优先回收标志的情况下，使用默认电压进行第一读取处理之前，还包括：查询并获取所述闪存块的标志情况，所述标志情况包括：闪存块不具有优先回收标志的情况、闪存块具有优先回收标志的情况。

根据本发明的一些实施例，所述方法还包括：在查询到所述闪存块具有优先回收标志，且记录有所述retry参数的情况下，获取所述retry参数；根据所述retry参数进行第二读取处理；在所述第二读取处理纠错校验成功的情况下，输出Ecc limit值和读取的所述闪存数据。

根据本发明的一些实施例，所述根据所述retry参数进行第二读取处理之后，还包括：在所述第二读取处理发生纠错校验失败的情况下，清除记录的所述retry参数；使用默认电压进行所述第一读取处理；在所述第一读取处理发生纠错校验失败的情况下，进行所述重读处理；在所述重读处理纠错校验成功的情况下，记录所述重读处理中所使用的retry参数，并输出Ecc limit值和读取的所述闪存数据。

根据本发明的一些实施例，所述使用默认电压进行第一读取处理之后，还包括：在所述第一读取处理纠错校验成功的情况下，输出Ecc ok值和读取的所述闪存数据。