[发明专利]波分复用器在审

专利信息
申请号: 202211400562.6 申请日: 2022-11-09
公开(公告)号: CN115657203A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 张巍;金展平;冯雪;刘仿;崔开宇;黄翊东 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;H04J14/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 葛美华
地址: 100084 北京市海淀区双清路*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 波分复用器
【权利要求书】:

1.一种波分复用器,其特征在于,包括:

第一硅波导(100);

第二硅波导(102),所述第二硅波导(102)与所述第一硅波导(100)的长度相同且宽度不同;

所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)中的至少一个形成有波导耦合段(104),所述波导耦合段(104)内形成有周期性褶皱结构(106)。

2.根据权利要求1所述的波分复用器,其特征在于,沿所述第一硅波导(100)和/或所述第二硅波导(102)的长度方向,在至少部分所述第一硅波导(100)和/或所述第二硅波导(102)的分段上形成有所述波导耦合段(104)。

3.根据权利要求2所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)中的一个形成有所述波导耦合段(104),所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)中的另一个形成有与所述波导耦合段(104)对应的平直段(108)。

4.根据权利要求2所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)均形成有所述波导耦合段(104),且所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)上的所述褶皱结构(106)一一对应地设置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)相互平行间隔设置且所述褶皱结构(106)形成于所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)相对的侧面。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)为条形波导或脊型波导。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)、所述第二硅波导(102)采用绝缘体上硅衬底一次刻蚀制成。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)中的一个的第一端为光波的输入端(110);

所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)的第二端为所述光波的输出端(112);

所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)中的另一个的第二端具有单一滤波的通带。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的波分复用器,其特征在于,所述褶皱结构(106)包括矩形、三角形、高斯型、正弦函数型中的至少一种。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的波分复用器,其特征在于,所述第一硅波导(100)和所述第二硅波导(102)的传播常数的传播常数差值Δβ满足:

Δβ=2π/Λ;

其中,Λ为所述褶皱结构(106)的周期长度。

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