[发明专利]用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展

说明书

本申请涉及用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展。提出设备和方法，其中在存储器装置处于非活动功率模式的情况下，缓冲器可用于临时存储来自应用程序的数据。这可允许所述存储器装置保持休眠状态。所述缓冲器可以位于主机装置上，使得所述存储器装置的所述功率模式可不影响所述缓冲器。以此方式，数据可以存储在所述缓冲器中而不唤醒所述存储器装置。如果所述存储器装置处于活动功率模式，则可以将已经临时存储在所述缓冲器中的数据发送到所述存储器装置以进行存储。在读取操作期间，如果请求的数据存储在所述缓冲器中，则可使用所述请求的数据而非所述存储器装置中的数据。

交叉引用

本专利申请要求AMBULA等人2022年6月20日提交的标题为“用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展(WRITE BUFFER EXTENSIONS FOR STORAGE INTERFACE CONTROLLERS)”的第17/807,838号美国专利申请和AMBULA等人于2021年11月9日提交的标题为“用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展(WRITE BUFFER EXTENSIONS FOR STORAGE INTERFACECONTROLLERS)”的第63/277,354号美国临时专利申请的优先权，前述申请中的每一者转让给本受让人并且其中的每一者明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展。

背景技术

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性更新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

发明内容

描述了一种方法。所述方法可包含通过主机装置的存储接口控制器接收要写入存储装置的数据；通过所述存储接口控制器至少部分地基于所述存储装置的功率模式将所述数据存储到所述存储接口控制器的写入缓冲器；通过所述存储接口控制器至少部分地基于对所述存储装置的所述功率模式的改变而从所述写入缓冲器检索所述数据；以及通过所述存储接口控制器将所述数据发送到所述存储装置。

描述了一种设备。所述设备可包含写入缓冲器和与所述写入缓冲器耦合的存储接口控制器。所述存储接口控制器可用于接收要写入到存储装置的数据；基于所述存储装置的功率模式而将所述数据存储到所述写入缓冲器；至少部分地基于对所述功率模式的改变而从所述写入缓冲器检索所述数据；以及将所述数据发送到所述存储装置。

描述了一种设备。所述设备可包含写入缓冲器和与所述写入缓冲器耦合的存储接口控制器。所述存储接口控制器可用于接收要写入存储装置的多个数据集；以及在接收到所述多个数据集中的每个数据集时确定所述存储装置的功率模式。基于所述存储装置的确定的功率模式为休眠模式，所述存储接口控制器可用于将相应数据集存储在所述写入缓冲器中；以及避免唤醒所述存储装置。基于所述存储装置的所述确定的功率模式为活动模式，所述存储接口控制器可用于检索在所述写入缓冲器处缓冲的数据；将所述数据发送到所述存储装置；以及将所述相应数据集发送到所述存储装置。

附图说明

图1示出根据本文公开的实例支持用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展的系统的实例。

图2示出根据本文公开的实例支持用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展的系统的实例。

图3示出根据本文公开的实例支持用于存储接口控制器的写入缓冲器扩展的功率模式状态图的实例。