[发明专利]一种无机晶体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的化学式为LaLiSiS₄。

2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体为三维晶体结构；

所述三维晶体结构包括[LiSiS₄]^3-二维平面层；

所述[LiSiS₄]^3-二维平面层沿a轴堆叠；

所述[LiSiS₄]^3-二维平面层包括LiS₄四面体和SiS₄四面体；

所述LiS₄四面体、所述SiS₄四面体通过共享边和顶点连接；

所述[LiSiS₄]^3-二维平面层之间通过La-S键连接。

3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的空间群为Ama2；

优选地，所述无机化合物晶体属于正交晶系。

4.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物的晶体晶胞参数如下：

α＝γ＝β＝90°，Z＝4。

5.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为310nm～320nm；

优选地，所述无机化合物晶体在750℃下，失重不超过5％。

6.一种无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将含有锂源、镧源、硅源、硫源的混合物，晶化得到无机化合物晶体。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述锂源选自硫化锂、锂单质、卤化锂中的至少一种；

优选地，所述镧源选自硫化镧、镧单质、卤化镧中的至少一种；

优选地，所述硅源选自硫化硅、硅单质、氧化硅、氟化硅中的至少一种；

优选地，所述硫源选自硫单质、硫化锂、硫化镧、硫化硅中至少一种。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述锂源、所述镧源、所述硅源、所述硫源的摩尔比如下：

Li：La：Si：S＝1～5：1～3：1～5：0～15；

优选地，所述锂源、所述镧源、所述硅源、所述硫源的摩尔比如下：

Li：La：Si：S＝2～4：1～2：2～4：5～10；

优选地，所述锂源、所述镧源、所述硅源、所述硫源的摩尔比如下：

Li：La：Si：S＝2.5～3.5：0.5～1.5：2.5～3.8：6～9；

所述锂源、所述镧源、所述硅源、所述硫源的摩尔数分别以锂元素、镧元素、硅元素、硫元素来计算。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，晶化的条件如下：

温度为700℃～900℃；

时间为6h～120h；

优选地，晶化在非活性气体下进行；

所述非活性气体选自氮气、氩气、氖气中的至少一种。

10.权利要求1～5任一项所述的无机化合物晶体和/或权利要求6～9任一项所述的制备方法得到的无机化合物晶体在非线性光学晶体材料、激光频率转换器中的应用。