[发明专利]一种壳核型Cs3

说明书

本发明公开了一种壳核型Cs₃PMo₁₂O₄₀/MnIn₂S₄复合光催化剂及其制备方法和应用，片状MnIn₂S₄以花瓣状组装至球状Cs₃PMo₁₂O₄₀外表面形成壳核结构。制备方法为：将片状MnIn₂S₄、磷钼酸、碳酸铯依次加入去离子水中搅拌均匀，采用沉淀溶解法并洗涤干燥即可。本发明得到的复合光催化剂制备工艺简单、性质稳定、分散性好、吸附能力强，可用于光解水制氢以及光催化降解。使用本发明的复合光催化剂产氢量提高；光催化降解效果可有效降解四环素(TC)、重铬酸钾(Cr(VI))、诺氟沙星(NFX)、卡马西平(CBZ)，在1h内分别对TC、Cr(VI)、NFX、CBZ降解高达80％～98％。

技术领域

本发明涉及光催化技术技术领域，更具体的说是涉及一种壳核型Cs₃PMo₁₂O₄₀/MnIn₂S₄复合光催化剂及其制备方法和应用。

背景技术

光催化半导体材料可以使太阳能转化为化学能，目前被广泛利用于光解水制氢以及光催化降解等方面，光催化技术就是研究如何更好的利用光催化半导体材料。多金属氧酸盐(Cs₃PMo₁₂O₄₀)具有价格低廉，易合成，稳定性好，比表面积大等优点。另外Cs₃PMo₁₂O₄₀作为一种类半导体多酸，比其他无机半导体材料展现出更多的优势。但是Cs₃PMo₁₂O₄₀也存在着光响应范围窄，无法充分吸收利用可见光，量子效率利用过低，光生电子和光生空穴的复合速率较快等问题。

硫铟锰作为一种窄带隙的半导体，具有良好的可见光响应能力。然而正因为其禁带窄，因此导致了它本身的光生电子空穴对复合速率快，从而限制了其光催化性能。

发明内容

本发明的目的是在于提供一种球状Cs₃PMo₁₂O₄₀与片状MnIn₂S₄复合的壳核型光催化剂及其制备和应用，旨在解决背景技术中指出的现有技术存在的问题。为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种壳核型Cs₃PMo₁₂O₄₀/MnIn₂S₄复合光催化剂，片状MnIn₂S₄以花瓣状组装至球状Cs₃PMo₁₂O₄₀外表面形成壳核结构。

优选的，所述片状MnIn₂S₄直径为5-25nm，球状Cs₃PMo₁₂O₄₀直径为200-250nm,壳核型Cs₃PMo₁₂O₄₀/MnIn₂S₄复合光催化剂直径为400-700nm，其中Cs₃PMo₁₂O₄₀与MnIn₂S₄的质量比为7-11:1。