[发明专利]具有射频识别与测温功能的声表面波标签结构及方法在审

专利信息
申请号: 202211376009.3 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115759131A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 陈智军;刘翔宇;陈智;徐海林;夏前亮;朱卫俊 申请(专利权)人: 南京航空航天大学;中电科技德清华莹电子有限公司
主分类号: G06K7/10 分类号: G06K7/10;G06K19/067;G01K11/22
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 贺翔
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 具有 射频 识别 测温 功能 表面波 标签 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种具有射频识别与测温功能的声表面波标签结构,其特征在于:所有编码的声表面波标签采用四个掩膜版拼接制作,并外接不同容值的电容;

所述声表面波标签结构包括压电基底(01)、第一叉指换能器(02)、第二叉指换能器(03)、第三叉指换能器(04)、第四叉指换能器(05)、第一参考反射栅(06)、第二参考反射栅(07)、第一温补反射栅(08)、第二温补反射栅(09)、第三温补反射栅(10)、第四温补反射栅(11)、第一编码反射栅(12)、第二编码反射栅(13)、第三编码反射栅(14)、第四编码反射栅(15)、第五编码反射栅(16)、第六编码反射栅(17)、第七编码反射栅(18)、第八编码反射栅(19)、第九编码反射栅(20)、第十编码反射栅(21)、第一负载电容(22)、第二负载电容(23)、第三负载电容(24)、第四负载电容(25)以及天线(26);其中,第四编码反射栅(15)、第五编码反射栅(16)、第九编码反射栅(20)、第十编码反射栅(21)为叉指栅结构,分别外接第一负载电容(22)、第二负载电容(23)、第三负载电容(24)、第四负载电容(25),其它反射栅均为开路栅结构;

所述声表面波标签划分为四个子区域,自压电基底(01)的上部到下部分别为第一子区域、第二子区域、第三子区域、第四子区域;四个子区域与声表面波标签制作时采用的四个掩膜版一一对应,即第一子区域与第一掩膜版对应、第二子区域与第二掩膜版对应、第三子区域与第三掩膜版对应、第四子区域与第四掩膜版对应;

所述第一叉指换能器(02)、第一参考反射栅(06)、第二温补反射栅(09)、第二编码反射栅(13)、第四编码反射栅(15)构成声表面波标签的第一子区域;

所述第二叉指换能器(03)、第一温补反射栅(08)、第一编码反射栅(12)、第三编码反射栅(14)、第五编码反射栅(16)构成声表面波标签的第二子区域;

所述第三叉指换能器(04)、第二参考反射栅(07)、第四温补反射栅(11)、第七编码反射栅(18)、第九编码反射栅(20)构成声表面波标签的第三子区域;

所述第四叉指换能器(05)、第三温补反射栅(10)、第六编码反射栅(17)、第八编码反射栅(19)、第十编码反射栅(21)构成声表面波标签的第四子区域;

通过设计第一叉指换能器(02)、第二叉指换能器(03)、第四编码反射栅(15)、第五编码反射栅(16)的指条宽度和第一参考反射栅(06)、第一温补反射栅(08)、第二温补反射栅(09)、第一编码反射栅(12)、第二编码反射栅(13)、第三编码反射栅(14)的栅条宽度,使声表面波标签的第一子区域、第二子区域的中心频率f1为922.5MHz;通过设计第三叉指换能器(04)、第四叉指换能器(05)、第九编码反射栅(20)、第十编码反射栅(21)的指条宽度和第二参考反射栅(07)、第三温补反射栅(10)、第四温补反射栅(11)、第六编码反射栅(17)、第七编码反射栅(18)、第八编码反射栅(19)的栅条宽度,使声表面波标签的第三子区域、第四子区域的中心频率f2为842.5MHz;

所述第一参考反射栅(06)、第二温补反射栅(09)、第二编码反射栅(13)、第四编码反射栅(15)与第一叉指换能器(02)的距离以及第一温补反射栅(08)、第一编码反射栅(12)、第三编码反射栅(14)、第五编码反射栅(16)与第二叉指换能器(03)的距离各不相同,以确保声表面波标签的第一子区域、第二子区域的所有反射栅对应的回波脉冲信号在时间上互不干涉;

所述第二参考反射栅(07)、第四温补反射栅(11)、第七编码反射栅(18)、第九编码反射栅(20)与第三叉指换能器(04)的距离以及第三温补反射栅(10)、第六编码反射栅(17)、第八编码反射栅(19)、第十编码反射栅(21)与第四叉指换能器(05)的距离各不相同,以确保声表面波标签的第三子区域、第四子区域的所有反射栅对应的回波脉冲信号在时间上互不干涉;

所述第一编码反射栅(12)、第二编码反射栅(13)、第三编码反射栅(14)、第四编码反射栅(15)、第五编码反射栅(16)、第六编码反射栅(17)、第七编码反射栅(18)、第八编码反射栅(19)、第九编码反射栅(20)、第十编码反射栅(21)分别位于十个编码数据区;每个编码数据区内等间距地划分M个时隙,编码反射栅位于其中一个时隙,此时编码容量为(M5)2,所需要的掩膜版数量为(M2+M3)×2;第一负载电容(22)、第二负载电容(23)、第三负载电容(24)、第四负载电容(25)的容值均有N个可选项,从而在时隙编码的基础上再对外接不同容值的电容进一步编码,编码容量可达(M5×N2)2,所需要的掩膜版数量仍为(M2+M3)×2。

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