[发明专利]一种MOS管制造工艺

说明书

本发明实施例公开了一种MOS管制造工艺，具体涉及MOS管制造技术领域，包括以下步骤：步骤一：选取原料多晶硅若干。通过采用将掺杂剂中的杂质原子经过离化变成带点的杂质离子，并使其在电场中加速，获得一定的能量后，直接轰击到硅片衬底内，离子注入剂量均匀，杂质分布灵活，横向扩散小，且工艺重复性好，多次注入通过多次注入使杂质纵向分布精确可控，也可以使杂质分布为设计的形状，并且离子注入完毕后，对硅片衬底将硅片衬底与抛光头之间进行相对运动，并且在运动的过程中在硅片和抛光头加入磨料，表面材料与磨料发生化学反应生成相对容易去除的表层，并同时施加压力平坦化表面，进行平坦化处理。

技术领域

本发明实施例涉及MOS管制造技术领域，具体涉及一种MOS管制造工艺。

背景技术

mos管是金属、氧化物、半导体场效应电晶体,或者称是金属一绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

现有技术存在以下不足：现有的MOS管制造工艺的过程中，需要将掺杂剂的杂质离子采用扩散的工艺加入到基片内，但采用扩散工艺在离子注入剂量均匀较差，杂质分布灵活低，横向扩散大，且工艺重复性较差，从而会对MOS管使用情况具有一定的影响。

发明内容

为此，本发明实施例提供一种MOS管制造工艺，通过采用将掺杂剂中的杂质原子经过离化变成带点的杂质离子，并使其在电场中加速，获得一定的能量后，直接轰击到硅片衬底内，离子注入剂量均匀，杂质分布灵活，横向扩散小，且工艺重复性好，多次注入通过多次注入使杂质纵向分布精确可控，也可以使杂质分布为设计的形状，并且离子注入完毕后，对硅片衬底将硅片衬底与抛光头之间进行相对运动，并且在运动的过程中在硅片和抛光头加入磨料，表面材料与磨料发生化学反应生成相对容易去除的表层，并同时施加压力平坦化表面，进行平坦化处理，提高后续金属层制作的质量。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种MOS管制造工艺，包括以下步骤：

步骤一：选取原料多晶硅若干，将多晶硅原料放入石英炉内进行熔解提纯，当多晶硅原料在石英炉内充分熔解后，使用使用石英棒将熔解的原料慢慢拉出，形成单晶硅棒；

步骤二：将单晶硅棒拉出后，进行一定的时间的自然冷却，冷却完毕后，使用切刀，将单晶硅棒进行切割处理，得到若干硅片；

步骤三：将制作的硅片进行化学清洗，将硅片表面的颗粒、有机物、氧化层等进行去除，得到硅片衬底；

步骤四：将硅片衬底与氧化剂放入到氧化炉内进行高温反应，使硅片衬底表面形成一层氧化层；

步骤五：在硅片衬底表面选择出漏极D和源极S，并进行标记，根据标记的位置采用刻蚀工艺将硅片衬底表面漏极D和源极S处的氧化层去除，并对表面进行清理；

步骤六：采用光刻工艺在硅片衬底表面漏极D和源极S处进行雕刻，形成漏极D和源极S，雕刻完毕后，对漏极D和源极S的表面进行清理；

步骤七：将掺杂剂中的杂质原子经过离化变成带点的杂质离子，并使其在-40℃—-50℃的超冷温度下进行电场中加速，超冷状态下原子分子的致密样品,每个分子的平动动能的能量与分子的质量中心的运动空间——项都很小(小于1microkelvin或真空度electronvolts)，反应物以单一的内部量子态(即它们具有相同的电子、振动和转动态)开始，并以低于10-10eV的平动能碰撞，从而降低因碰撞反应释放能量影响成品质量，这意味着最低电子的分子振动和转动能级，获得一定的能量后，直接轰击到硅片衬底内；

步骤八：将硅片衬底与抛光头之间进行相对运动，并且在运动的过程中在硅片和抛光头加入磨料，表面材料与磨料发生化学反应生成相对容易去除的表层，并同时施加压力平坦化表面，进行平坦化处理；