[发明专利]陶瓷、探针引导构件、探针卡及封装检查用插座

说明书

本发明涉及陶瓷、探针引导构件、探针卡及封装检查用插座。本发明的陶瓷以质量％计，由BN：20.0～55.0％、SiC：5.0～40.0％、ZrO₂：3.0～34.8％、或ZrO₂和Si₃N₄：3.0～38.7％构成。该陶瓷在‑50～500℃下的热膨胀系数为1.0×10^‑6～5.0×10^‑6/℃，低带电性(以体积电阻率计为10⁶～10¹⁴Ω·cm)和易切削性优异，因此适合使用在例如用于对探针卡的探针进行引导的探针引导构件、封装检查用插座等。

本申请是申请日为2018年10月19日、申请号为201880068292.9、发明名称为“陶瓷、探针引导构件、探针卡及封装检查用插座”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种陶瓷、探针引导构件、探针卡及封装检查用插座。

背景技术

在制造电子部件等精密机器的工序中，为了抑制由静电放电导致的产品损伤、发生不良等，并且，为了防止环境中漂浮的微粒吸附静电，使用采取了静电对策的低带电性材料。

例如，在IC芯片的检查工序中，使用探针卡。图1示出了探针卡的结构示例的截面图，图2示出了探针引导器的结构示例的俯视图。如图1所示，探针卡10是一种检查用具，具备针状的探针11、以及具有用于穿插各探针11的多个贯通孔12a的探针引导器(探针引导构件)12。并且，IC芯片14的检查是通过使多个探针11与硅晶圆13上形成的IC芯片14接触来进行的。此时，探针引导器12使用采取了静电对策的低带电性材料。

作为常规的低带电性材料，广泛使用以体积电阻率计为10⁶～10¹²Ω·cm程度的材料，例如添加了导电性填料的树脂(专利文献1、2等)、分散烧结导电性陶瓷而得到的陶瓷烧结体(专利文献3～5等)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005-226031号公报

专利文献2:国际公开第2002/082592号

专利文献3:日本特开2013-136503号公报

专利文献4:日本特开2008-094688号公报

专利文献5:日本特开2006-199586号公报

发明内容

发明要解决的问题

随着近年来设备的微细化、高性能化，对于制造它们的装置上所使用的静电对策材料，要求不仅提高低带电性，还要提高易切削性、耐热性、机械特性、热膨胀率等各种性能。

例如，IC芯片检查工序的检查效率取决于可与IC芯片同时接触的探针的个数。因此，近年来，通过微机电系统(MEMS，Micro Electro Mechanical Systems)，高密度地竖立设置数万个微小探针的探针卡不断实用化。如上述图2所示，在探针引导器12上，需要在与探针卡10的各探针11对应的位置设置贯通孔12a。根据其检查装置的规格不同，探针卡10的探针11的设置位置、形状等也各式各样，相应地，贯通孔12a的设置位置、形状等也各式各样。例如，探针11为针状的情况下，采用圆形的孔作为贯通孔12a。孔的内径、孔的间距也取决于探针11的种类和配置，例如，有时将直径50μm的贯通孔以60μm间距(贯通孔间的壁厚为10μm程度)设置。由于需要设置数万个这种小贯通孔，因此要求易切削性。