[发明专利]一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片在审

专利信息
申请号: 202211359632.8 申请日: 2022-11-02
公开(公告)号: CN115454195A 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 许耀华;林泽远;柏娜;王翊;叶瑞;张朋帅 申请(专利权)人: 安徽大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海汉之律师事务所 31378 代理人: 冯华
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压器 电压 电源 管理 芯片
【说明书】:

发明公开了一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片,所述低压差线性稳压器包括:低电压基准电压源电路;误差放大电路,所述误差放大电路的反相输入端电性连接于所述低电压基准电压源电路的输出端;双环反馈电路,包括抗辐照电路,所述抗辐照电路的输入端电性连接于所述误差放大电路的输出端;以及功率调节电路,所述功率调节电路的输入端电性连接于所述抗辐照电路的输入端,所述功率调节电路的输出端电性连接于所述抗辐照电路的输出端。通过本发明公开的一种低压差线性稳压器,提高了低压差线性稳压器的抗辐照能力和电路响应速度。

技术领域

本发明属于集成电路制造技术领域,特别涉及一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片。

背景技术

电压电源管理芯片是集成电路器件的核心模块,其中低压差线性稳压器(LowDropout Regulator,LDO)作为关键的电源管理模块之一,可为噪声敏感的模拟模块提供经过调节的低噪声且精确的电源电压。目前,在对航天电子器件进行抗辐照效应的实验研究时,发现随着电压电源管理芯片工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应愈发显著。而且LDO电路的抗辐照方法降低了LDO电路的响应速度,增大了电压电源管理芯片集成面积和电压电源管理芯片的功耗,同时降低了电压电源管理芯片的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压器和电压电源管理芯片,通过本发明的低压差线性稳压器,在提高LDO电路的抗辐照能力的同时减少了电压电源管理芯片的集成面积和降低了电压电源管理芯片的功耗,提高了电压电源管理芯片的性能。

为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:

本发明提供的一种低压差线性稳压器,其包括:

低电压基准电压源电路;

误差放大电路,所述误差放大电路的反相输入端电性连接于所述低电压基准电压源电路的输出端;

双环反馈电路,包括第一反馈电路和抗辐照电路,所述第一反馈电路的输出端电性连接于所述误差放大电路的正相输入端,所述抗辐照电路的输入端电性连接于所述误差放大电路的输出端;以及

功率调节电路,所述功率调节电路的输入端电性连接于所述抗辐照电路的输入端,所述功率调节电路的输出端电性连接于所述抗辐照电路的输出端和所述第一反馈电路的输入端。

在本发明一实施例中,所述压基准电压源电路包括:

第一电流源;

第一场效应管,所述第一场效应管的漏极电性连接于所述第一电流源和所述第一场效应管的栅极。

在本发明一实施例中,所述差线性稳压器还包括电流偏置电路,所述电流偏置电路包括:

第二电流源;

第一偏置场效应管,所述第一偏置场效应管的漏极和栅极电性连接于所述第二电流源;以及

第二偏置场效应管,所述第二偏置场效应管的栅极电性连接于所述第一偏置场效应管的栅极,且所述第一偏置场效应管的源极和所述第二偏置场效应管的源极接地。

在本发明一实施例中,所述误差放大电路包括:

第三偏置场效应管;

第四偏置场效应管,所述第四偏置场效应管的栅极电性连接于所述第三偏置场效应管的栅极和所述第四偏置场效应管的漏极;

第一运算放大场效应管,所述第一运算放大场效应管的漏极电性连接于所述第三偏置场效应管的漏极;以及

第二运算放大场效应管,所述第二运算放大场效应管的源极电性连接于所述第一运算放大场效应管的源极,所述第二运算放大场效应管的漏极电性连接于所述第四偏置场效应管的漏极。

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