[发明专利]一种双频段共口径相控阵天线在审

专利信息
申请号: 202211356153.0 申请日: 2022-11-01
公开(公告)号: CN115548705A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 张剑;肖荣 申请(专利权)人: 成都恪赛科技有限公司
主分类号: H01Q21/30 分类号: H01Q21/30;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q23/00;H01Q3/26;H05K7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李吉硕
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 双频 口径 相控阵 天线
【权利要求书】:

1.一种双频段共口径相控阵天线,其特征在于,包括:上层AOB载板(1)、散热组件(2)、下层AOB载板(3)、Ku频段辐射体阵列、Ka频段辐射体阵列、第一放大器阵列、第二放大器阵列、Ku频段幅相控制芯片(8)和Ka频段幅相控制芯片(9);

所述上层AOB载板(1)、所述散热组件(2)及所述下层AOB载板(3)依次层叠设置;

所述Ku频段辐射体阵列包括多个间隔排布的Ku频段辐射体单元(4),Ka频段辐射体阵列包括多个间隔排布的Ka频段辐射体单元(5),所述Ku频段辐射体阵列与所述Ka频段辐射体阵列嵌套式设置于所述上层AOB载板(1)的外表面;

所述第一放大器阵列与所述第二放大器阵列设置于所述上层AOB载板(1)的内表面,且所述Ku频段辐射体单元(4)与所述第一放大器阵列中的第一放大器单元(6)一一对应射频连接,所述Ka频段辐射体单元(5)与所述第一放大器阵列中的第二放大器单元(7)一一对应射频连接;

所述Ku频段幅相控制芯片(8)和所述Ka频段幅相控制芯片(9),其中之一者设置于所述下层AOB载板(3)的外表面、另一者设置于所述下层AOB载板(3)的内表面;且所述Ku频段幅相控制芯片(8)与所述第一放大器单元(6)射频连接,所述Ka频段幅相控制芯片(9)与所述第二放大器单元(7)射频连接。

2.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述第一放大器阵列与所述第二放大器阵列,嵌套式设置于所述上层AOB载板(1)的内表面。

3.根据权利要求2所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述上层AOB载板(1)上设有多个金属通孔和多个平面金属线;

所述Ku频段辐射体单元(4)与对应的所述第一放大器单元(6)之间,以及所述Ku频段辐射体单元(4)与对应的所述第一放大器单元(6)之间,均通过各自对应的所述金属通孔和所述平面金属走线实现射频连接。

4.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述下层AOB载板(3)内埋有第一射频连接器(10)和第二射频连接器(11);

所述Ku频段幅相控制芯片(8)通过所述第一射频连接器(10)与对应的所述第一放大器单元(6)连接,所述Ka频段幅相控制芯片(9)通过所述第二射频连接器(11)与对应的所述第二放大器单元(7)连接。

5.根据权利要求4所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述第一射频连接器(10)和所述第二射频连接器(11),为SMP连接器、SSMP连接器、WMP连接器或弹性针连接器。

6.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述下层AOB载板(3)内集成有波束形成网络和直流控制供电线路;

所述波束形成网络与所述Ku频段幅相控制芯片(8)及所述Ka频段幅相控制芯片(9)分别连接,所述直流控制供电线路与所述Ku频段幅相控制芯片(8)及所述Ka频段幅相控制芯片(9)分别连接。

7.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述下层AOB载板(3)上还集成有供电控制接口(12)、Ku频段射频接口(13)和Ka频段射频接口(14)。

8.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述Ka频段幅相控制芯片(9)贴设于所述下层AOB载板(3)的内表面,所述Ku频段幅相控制芯片(8)贴设于所述下层AOB载板(3)的外表面。

9.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述散热组件(2)内设风冷风道和/或液冷流道。

10.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述Ku频段辐射体阵列的单元间距小于所述Ku频段辐射体单元(4)的工作频段波长的一半,所述Ka频段辐射体阵列的单元间距小于所述Ka频段辐射体单元(5)的工作频段波长的一半,且所述Ku频段辐射体阵列的单元间距为所述Ka频段辐射体阵列的单元间距的两倍。

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