[发明专利]一种双频段共口径相控阵天线在审
| 申请号: | 202211356153.0 | 申请日: | 2022-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN115548705A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | 张剑;肖荣 | 申请(专利权)人: | 成都恪赛科技有限公司 |
| 主分类号: | H01Q21/30 | 分类号: | H01Q21/30;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q23/00;H01Q3/26;H05K7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李吉硕 |
| 地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双频 口径 相控阵 天线 | ||
1.一种双频段共口径相控阵天线,其特征在于,包括:上层AOB载板(1)、散热组件(2)、下层AOB载板(3)、Ku频段辐射体阵列、Ka频段辐射体阵列、第一放大器阵列、第二放大器阵列、Ku频段幅相控制芯片(8)和Ka频段幅相控制芯片(9);
所述上层AOB载板(1)、所述散热组件(2)及所述下层AOB载板(3)依次层叠设置;
所述Ku频段辐射体阵列包括多个间隔排布的Ku频段辐射体单元(4),Ka频段辐射体阵列包括多个间隔排布的Ka频段辐射体单元(5),所述Ku频段辐射体阵列与所述Ka频段辐射体阵列嵌套式设置于所述上层AOB载板(1)的外表面;
所述第一放大器阵列与所述第二放大器阵列设置于所述上层AOB载板(1)的内表面,且所述Ku频段辐射体单元(4)与所述第一放大器阵列中的第一放大器单元(6)一一对应射频连接,所述Ka频段辐射体单元(5)与所述第一放大器阵列中的第二放大器单元(7)一一对应射频连接;
所述Ku频段幅相控制芯片(8)和所述Ka频段幅相控制芯片(9),其中之一者设置于所述下层AOB载板(3)的外表面、另一者设置于所述下层AOB载板(3)的内表面;且所述Ku频段幅相控制芯片(8)与所述第一放大器单元(6)射频连接,所述Ka频段幅相控制芯片(9)与所述第二放大器单元(7)射频连接。
2.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述第一放大器阵列与所述第二放大器阵列,嵌套式设置于所述上层AOB载板(1)的内表面。
3.根据权利要求2所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述上层AOB载板(1)上设有多个金属通孔和多个平面金属线;
所述Ku频段辐射体单元(4)与对应的所述第一放大器单元(6)之间,以及所述Ku频段辐射体单元(4)与对应的所述第一放大器单元(6)之间,均通过各自对应的所述金属通孔和所述平面金属走线实现射频连接。
4.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述下层AOB载板(3)内埋有第一射频连接器(10)和第二射频连接器(11);
所述Ku频段幅相控制芯片(8)通过所述第一射频连接器(10)与对应的所述第一放大器单元(6)连接,所述Ka频段幅相控制芯片(9)通过所述第二射频连接器(11)与对应的所述第二放大器单元(7)连接。
5.根据权利要求4所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述第一射频连接器(10)和所述第二射频连接器(11),为SMP连接器、SSMP连接器、WMP连接器或弹性针连接器。
6.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述下层AOB载板(3)内集成有波束形成网络和直流控制供电线路;
所述波束形成网络与所述Ku频段幅相控制芯片(8)及所述Ka频段幅相控制芯片(9)分别连接,所述直流控制供电线路与所述Ku频段幅相控制芯片(8)及所述Ka频段幅相控制芯片(9)分别连接。
7.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述下层AOB载板(3)上还集成有供电控制接口(12)、Ku频段射频接口(13)和Ka频段射频接口(14)。
8.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述Ka频段幅相控制芯片(9)贴设于所述下层AOB载板(3)的内表面,所述Ku频段幅相控制芯片(8)贴设于所述下层AOB载板(3)的外表面。
9.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述散热组件(2)内设风冷风道和/或液冷流道。
10.根据权利要求1所述的双频段共口径相控阵天线,其特征在于,所述Ku频段辐射体阵列的单元间距小于所述Ku频段辐射体单元(4)的工作频段波长的一半,所述Ka频段辐射体阵列的单元间距小于所述Ka频段辐射体单元(5)的工作频段波长的一半,且所述Ku频段辐射体阵列的单元间距为所述Ka频段辐射体阵列的单元间距的两倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都恪赛科技有限公司,未经成都恪赛科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211356153.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





