[发明专利]中介层结构及其制作方法

权利要求书

1.一种中介层结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板具有相背的第一表面和第二表面，所述第一表面开设第一开孔，所述第一开孔从所述第一表面延伸至所述基板中，所述第一开孔中填充第一导电层；在所述基板第一表面形成第一介质层，所述第一介质层中形成第一再分布金属层，所述第一再分布金属层与所述第一导电层电连接；

将所述第一介质层远离所述基板的一侧与第一载板键合，在所述基板第二表面开设第二开孔，所述第二开孔从所述第二表面延伸至所述基板中与所述第一开孔连通，所述第二开孔中填充第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层电连接；

在所述基板第二表面形成第二介质层，所述第二介质层中形成第二再分布金属层，所述第二再分布金属层与所述第二导电层电连接；

在所述第二介质层远离所述基板的一侧形成第一键合结构，所述第一键合结构与所述第二再分布金属层电连接；

将所述第一键合结构键合至第二载板，去除所述第一载板后在所述第一介质层远离所述基板的一侧形成第二键合结构，所述第二键合结构与所述第一再分布金属层电连接，去除所述第二载板。

2.如权利要求1所述的中介层结构的制作方法，其特征在于，在垂直于所述第一表面的截面上，所述第一开孔的最小截面宽度≥10μm，所述第一开孔的深度≥100μm。

3.如权利要求1所述的中介层结构的制作方法，其特征在于，在所述基板第二表面开设所述第二开孔之前从所述基板第二表面减薄所述基板，减薄后的所述基板的厚度≥150μm。

4.如权利要求1所述的中介层结构的制作方法，其特征在于，在垂直于所述第一表面的截面上，所述第二开孔的最小截面宽度≥5μm，所述第二开孔的深度≥50μm。

5.如权利要求1所述的中介层结构的制作方法，其特征在于，所述第一键合结构和/或所述第二键合结构为金属焊球和/或混合键合结构。

6.如权利要求1所述的中介层结构的制作方法，其特征在于，所述第二键合结构的间距小于所述第一键合结构的间距，所述第二键合结构用于键合芯片，所述第一键合结构用于键合印刷电路板。

7.如权利要求1至6任意一项所述的中介层结构的制作方法，其特征在于，所述基板为硅基底。

8.一种中介层结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板具有相背的第一表面和第二表面；

第一开孔，所述第一开孔从所述第一表面延伸至所述基板中，所述第一开孔中填充第一导电层；

第一介质层，所述第一介质层位于所述基板第一表面，所述第一介质层中形成有第一再分布金属层，所述第一再分布金属层与所述第一导电层电连接；

第二开孔，所述第二开孔从所述第二表面延伸至所述基板中且与所述第一开孔连通，所述第二开孔中填充第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层电连接；

第二介质层，所述第二介质层位于所述基板的第二表面，所述第二介质层中形成第二再分布金属层，所述第二再分布金属层与所述第二导电层电连接；

第一键合结构和第二键合结构，所述第一键合结构位于所述第二介质层远离所述基板的一侧与所述第二再分布金属层电连接，所述第二键合结构位于所述第一介质层远离所述基板的一侧与所述第一再分布金属层电连接。

9.如权利要求8所述的中介层结构，其特征在于，所述第二键合结构的间距小于所述第一键合结构的间距，所述第二键合结构用于键合芯片，所述第一键合结合用于键合印刷电路板。

10.如权利要求8所述的中介层结构，其特征在于，所述基板的厚度≥150μm。