[发明专利]一种CVI系统多料柱短周期制备大型筒状碳碳热场材料的方法和系统

权利要求书

1.一种用于制备碳碳热场材料的CVI系统，其特征在于，包括多料柱CVD气相沉积炉；

所述CVD气相沉积炉设置有气体预热工装和装料工装；

所述CVD气相沉积炉为多料柱高层数CVD气相沉积炉；

所述气体预热工装设置在所述CVD气相沉积炉底部；

所述气体预热工装包括炉底板、预热底环、预热板材1、外密封环、底部支撑环、预热管路1、预热管路2、导气环以及预热板材2；

所述气体预热工装设置有两路气体行程通道；

所述两路气体行程通道包括S形的气体行程通道和料柱高度方向补充新鲜气体通道；

所述S形的气体行程结构具体为，预热板材1、预热板材2、外密封环和导气环形成的S形空间气体行程结构；

所述料柱高度方向补充新鲜气体通道具体为，预热管路1、预热管路2形成的中心通道，流进料柱底部中心空间，直达料柱的第5层。

2.根据权利要求1所述的CVI系统，其特征在于，所述多料柱高层数具体为7料柱8层；

所述CVD气相沉积炉的上部、下部和底部设置有3区独立控制加热结构；

所述CVD气相沉积炉设置有14路独立进气结构；

所述CVD气相沉积炉设置有7料柱独立底部加热结构；

所述CVD气相沉积炉设置有7路出气口的集气罩结构；

所述CVD气相沉积炉设置有锥形的进气口和出气口。

3.根据权利要求2所述的CVI系统，其特征在于，所述CVD气相沉积炉的每个料柱均设置有独立供气控制结构及每个料柱上部补气独立供气控制结构；

所述上部具体为大于等于4层；

所述7路出气口经集气罩汇集气体后，由炉盖出气口排出；

所述7路出气口的位置对应设置在7个料柱中心上方。

4.根据权利要求2所述的CVI系统，其特征在于，所述CVD气相沉积炉外部设置有炉体保温棉、炉底保温棉和炉盖保温棉中的一种或多种；

所述炉体保温棉、炉底保温棉和炉盖保温棉的厚度各自独立的选自450~600mm；

所述CVD气相沉积炉还设置有气体内外循环强制风冷系统。

5.根据权利要求1所述的CVI系统，其特征在于，所述装料工装设置在气体预热工装上面；

所述料柱包括埚帮套装料柱；

所述装料工装包括多个埚帮套装料柱；

所述埚帮套装料柱包括料柱底盘、垫环、大埚帮、小埚帮、小口密封环、小口隔板、垫块、内模弧段、内模直段、大口密封环、大口隔板、管路头、管接头、直管、定位柱、管路、出气管路头以及封头；

所述埚帮套装料柱包括大埚帮套小埚帮的单层结构，多个单层结构堆叠形成埚帮套装料柱；

所述埚帮套装料柱设置有产品内外限气结构以及密封结构；

所述内模包括内模弧段和内模直段。

6.根据权利要求5所述的CVI系统，其特征在于，所述埚帮套装料柱具有内模置于产品内部进行分层支撑的结构；

所述内模作为内部限气装置；

所述密封结构具体为，埚帮套装每一层的外层产品、隔板、密封环和垫环装配，形成物理密封，再与料柱外部空间形成相对密封空间；

所述S形的气体行程通道的气体出口，连接底部料柱边缘，通过料柱内部边缘的2条气体通道，连通大埚帮内表面；

所述S形的气体行程通道的气体出口，连接底部料柱边缘，通过料柱内部边缘的2条气体通道，连通小埚帮内外表面或外导流筒内外表面；

多个料柱高度方向各自独立的补充气体通道形成补气工装；

所述补气工装连接于气体预热工装与埚帮套装料柱之间。